[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011451826.1
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN113013162A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 樸范琎;裵東一;金大元;金兌映;鄭朱希;申在訓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

有源圖案，在基板上在第一方向上延伸并具有彼此相對的一對第一側表面以及連接到所述第一側表面的第一邊緣部分；

多個溝道層，在所述有源圖案上垂直地彼此間隔開；

第一柵電極，在所述基板上在第二方向上延伸同時與所述有源圖案和所述多個溝道層相交，并圍繞所述多個溝道層；

源極/漏極區，設置在所述有源圖案上，在所述第一柵電極的至少一側，并與所述多個溝道層接觸；

半導體結構，鄰近于所述有源圖案的所述第一邊緣部分設置，并具有彼此相對的一對第二側表面以及連接到所述第二側表面的第二邊緣部分，所述半導體結構包括交替地堆疊在所述有源圖案上的多個第一半導體層和多個第二半導體層；

第二柵電極，在所述基板上在所述第二方向上延伸并覆蓋所述有源圖案的所述第一邊緣部分和所述半導體結構的所述第二邊緣部分；以及

阻擋層，設置在所述半導體結構與所述第二柵電極之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層在所述有源圖案的所述第一邊緣部分與所述第二柵電極之間以及在所述半導體結構的所述第二邊緣部分與所述第二柵電極之間延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層覆蓋所述半導體結構的上表面和所述第二側表面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層的下部設置為覆蓋所述第二柵電極的下表面的一部分。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層在與接觸所述半導體結構的所述第二邊緣部分的表面相對的一個表面上具有凹凸形狀。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層包括與所述多個第一半導體層的材料不同的材料。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層包括與所述多個第二半導體層的材料相同的材料。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層包括從所述半導體結構生長的外延層。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋層包括硅、鍺、硅鍺、硅碳化物和硅氮化物中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括接觸插塞，所述接觸插塞設置在所述源極/漏極區上并且連接到所述源極/漏極區。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括器件隔離層，所述器件隔離層與所述有源圖案的所述第一側表面和所述第一邊緣部分接觸，

其中所述阻擋層的下表面與所述器件隔離層的上表面接觸。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括內部間隔物層，所述內部間隔物層在所述第一方向上設置在所述第一柵電極的兩側，并且在所述多個溝道層的各自下表面上，所述內部間隔物層具有與所述多個溝道層的外表面共面的外表面。

13.一種半導體器件，包括：

有源圖案，在基板上在第一方向上延伸，被分隔區域劃分為多個區域，并具有朝向所述分隔區域暴露的第一邊緣部分；

第一溝道層、第二溝道層和第三溝道層，垂直地彼此間隔開并順序地設置在所述有源圖案上；

第一柵電極，在所述基板上在第二方向上延伸同時與所述有源圖案相交，并圍繞所述第一溝道層、所述第二溝道層和所述第三溝道層；

源極/漏極區，設置在所述有源圖案上，在所述第一柵電極的至少一側，并接觸所述第一溝道層、所述第二溝道層和所述第三溝道層；

半導體結構，包括交替地堆疊在所述有源圖案上的第一半導體層和第二半導體層，并具有朝向所述分隔區域暴露的第二邊緣部分；以及

阻擋層，覆蓋所述半導體結構的上表面、側表面和所述第二邊緣部分中的至少一個。