[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法、微電極及應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011451699.5
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112626583B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾齊;吳天準(zhǔn)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號: C25D9/02
• 分類號: C25D9/02;C25D7/00;A61B5/266;A61B5/265;A61B5/259
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;賈珍珠

1.一種導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供導(dǎo)電基體；

在所述導(dǎo)電基體表面形成犧牲金屬層，所述犧牲金屬層中的金屬為銅、鎂或鋁；

通過電沉積方式在所述導(dǎo)電基體表面構(gòu)筑軟界面；其中，構(gòu)筑軟界面具體包括：

提供導(dǎo)電聚合物電解液，將形成有犧牲金屬層的導(dǎo)電基體置于所述導(dǎo)電聚合物電解液中；

施加電位，使?fàn)奚饘賹又械臓奚饘傺趸癁殡x子態(tài)，并進(jìn)入導(dǎo)電聚合物電解液中的導(dǎo)電聚合物介質(zhì)中，金屬離子與導(dǎo)電聚合物介質(zhì)在加電狀態(tài)下在導(dǎo)電基體表面構(gòu)筑形成導(dǎo)電凝膠軟界面。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物電解液為濃度為0.01％～50％的PEDOT:PSS或PPy電解液；電沉積方式中采用恒電位沉積、恒電流沉積、循環(huán)伏安沉積、脈沖沉積中的任一種，沉積時間為0.5～10h。

3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，所述恒電位沉積的電壓為0.01～10V；所述恒電流沉積的電流為0.05～50mA/cm²；所述循環(huán)伏安沉積電壓為0.01～0.85V，掃描速度為5～500mV/s；所述脈沖沉積的通斷比為(0.1～10s)：(0.01～1s)。

4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，

通過電沉積的方式在所述導(dǎo)電基體表面沉積犧牲金屬層，具體包括：

配制金屬電解液；

將所述金屬電解液通過電沉積的方式沉積于所述導(dǎo)電基體表面，以在所述導(dǎo)電基體表面形成犧牲金屬層。

5.如權(quán)利要求1～3任一所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電基體表面構(gòu)筑形成導(dǎo)電凝膠軟界面后，還包括步驟：修飾軟界面；其中，修飾軟界面具體包括：

將表面構(gòu)筑形成有導(dǎo)電凝膠軟界面的導(dǎo)電基體置于緩沖液中浸泡至少36h，從而對構(gòu)筑于所述導(dǎo)電基體表面的導(dǎo)電凝膠軟界面進(jìn)行修飾處理。

6.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，所述緩沖液為PBS緩沖液或生理鹽水。

7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法，其特征在于，所述導(dǎo)電基體包括微電極陣列、金屬絲、金屬片、金屬環(huán)、導(dǎo)電塑料和導(dǎo)電橡膠中的至少一種。

8.一種微電極，其特征在于，包括導(dǎo)電基體及構(gòu)筑于所述導(dǎo)電基體上的軟界面，所述軟界面由權(quán)利要求1-7任一項所述的導(dǎo)電基體軟界面的構(gòu)筑方法構(gòu)筑獲得。

9.如權(quán)利要求8所述的微電極在傳感器領(lǐng)域、催化領(lǐng)域以及神經(jīng)接口領(lǐng)域中的應(yīng)用。