[發(fā)明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011451572.3 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112992643A | 公開（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 山岸幸司;白澤大輔 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法，能夠抑制副產(chǎn)物的向腔室內的未暴露于等離子體和為生成該等離子體而施加的高頻電力的區(qū)域的沉積。腔室用于對基板進行等離子體處理。加熱器與腔室內的未暴露于等離子體和為生成該等離子體而施加的高頻電力的區(qū)域相對應地配置。加熱器電源被設為能夠向加熱器供給脈沖狀的電力。
技術領域
本公開涉及一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。
背景技術
專利文獻1公開了以下一種技術：使等離子體處理室絕緣，自氟碳氣體生成等離子體并向等離子體處理室的外側的空間供給，由此去除外側的空間的非等離子體表面的附著物。
專利文獻1：日本特開2018-195817號公報
發(fā)明內容
本公開提供一種抑制副產(chǎn)物的向腔室內的未暴露于等離子體和高頻電力的區(qū)域的沉積的技術。
本公開的一個方式的等離子體處理裝置具備腔室、加熱器以及加熱器電源。在腔室中對基板進行等離子體處理。加熱器配置于腔室內的未暴露于等離子體和高頻電力的區(qū)域。加熱器電源被設為能夠向加熱器供給脈沖狀的電力。
根據(jù)本公開，能夠抑制副產(chǎn)物的向腔室內未暴露于等離子體和高頻電力的區(qū)域的沉積。
附圖說明
圖1是概要性地示出實施方式所涉及的等離子體處理裝置的截面的一例的圖。
圖2是示出實施方式所涉及的加熱器的配置的一例的圖。
圖3是示出實施方式所涉及的加熱器的溫度變化的一例的圖。
圖4是示出向實施方式所涉及的加熱器供給的脈沖狀的電力的一例的圖。
圖5是示出通過實施方式所涉及的加熱器進行的加熱的一例的圖。
圖6是示出實施方式所涉及的構件的表面和背面的溫度變化的一例的圖。
圖7是示出實施方式所涉及的試驗體的一例的圖。
圖8是說明實施方式所涉及的實驗的概要的圖。
圖9是示出實施方式所涉及的加熱器和試驗體的配置的概要的圖。
圖10是示出實施方式所涉及的實驗結果的圖。
圖11是概要性地示出其它實施方式所涉及的等離子體處理裝置的截面的一例的圖。
10：等離子體處理裝置；12：腔室；13：支承臺；48：隔板；51：排氣口；55：加熱器；56：加熱器電源；W：晶圓。
具體實施方式
以下，參照附圖來詳細說明本申請公開的等離子體處理裝置和等離子體處理方法的實施方式。此外，并非通過本實施方式來限定公開的等離子體處理裝置和等離子體處理方法。
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