[發明專利]一種有機蒸鍍源陶瓷坩堝洗凈再生方法

在審

• 申請號: 202011451550.7
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112474656A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 呂先鋒;惠朝先;邱俊;陳運友;李奎;向志強;彭杰;黃旭
• 申請（專利權）人: 四川富樂德科技發展有限公司
• 主分類號: B08B9/08
• 分類號: B08B9/08;F26B21/00
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 林淡如

本發明公開了一種有機蒸鍍源陶瓷坩堝洗凈再生方法，包括以下步驟：步驟10、受入檢查；步驟20、化學清洗；步驟30、預干燥；步驟40、高溫烘烤；步驟50、純水浸泡；步驟60、烘干。本發明采用化學液洗+高溫烘烤方式去除有機蒸鍍源陶瓷坩堝內部殘余膜質，可保證清洗效果。

技術領域

本發明屬于機蒸鍍源陶瓷坩堝清洗領域，具體涉及一種有機蒸鍍源陶瓷坩堝洗凈再生方法。

背景技術

陶瓷材料存在氣孔率高和膜質滲透的缺點，有機蒸鍍陶瓷坩堝實驗環境溫度在450℃以上，坩堝內的有機蒸鍍材料在高溫條件洗極易滲透至陶瓷內部，而化學清洗后陶瓷本體內部會有少量有機蒸鍍材料和藥液殘留，在高溫條件下坩堝內吸附的殘膜和雜質會對蒸鍍材料造成污染。原有技術主要通過化學液洗溶解坩堝內部有機蒸鍍膜質，但陶瓷本體滲透的有機蒸鍍材料無法完全去除，影響洗凈部品使用正常使用，存在有機物蒸鍍過程中交叉污染的風險。

傳統解決方法為化學去膜方法，化學藥水浸泡去膜后陶瓷坩堝表面和內部會有印跡或有機物殘留，通過延長藥液浸泡時間也無法去除陶瓷本體內滲透的膜質。若采直接采用高溫烘烤方式去膜，會由于坩堝內膜質殘留量大導致有機膜滲透更加明顯，后期處理殘留膜質會更加困難。

發明內容

本發明所要解決的技術問題便是針對上述現有技術的不足，提供一種有機蒸鍍源陶瓷坩堝洗凈再生方法，采用化學液洗+高溫烘烤方式去除有機蒸鍍源陶瓷坩堝內部殘余膜質，可保證清洗效果。

本發明所采用的技術方案是：一種有機蒸鍍源陶瓷坩堝洗凈再生方法，包括以下步驟：

步驟10、受入檢查：對待清洗的有機蒸鍍源陶瓷坩堝進行受入檢查，保證待清洗的有機蒸鍍源陶瓷坩堝本體無缺損備用；

步驟20、化學清洗：采用有機清洗劑去除步驟10中經檢查且其本體無缺損的有機蒸鍍陶瓷坩堝表面的有機蒸鍍材料；

步驟30、預干燥：將步驟20中完成化學清洗的有機蒸鍍源陶瓷坩堝送入干燥箱，通過氣槍吹掃其表面的方式去除表面水分，干燥溫度為100℃-200℃，干燥時間為0.5小時-2小時；

步驟40、高溫烘烤：對步驟30中完成預干燥的有機蒸鍍源陶瓷坩堝進行高溫烘烤，高溫烘烤過程中其加熱速率為0.5℃/min-3℃/min，加熱最高溫度為500℃-800℃，最高溫度保溫時間為2小時-10小時，保溫過程中溫度波動范圍控制在±10℃，達到保溫時間后進行降溫，降溫速率為0.5℃/min-3℃/min，待溫度降至室溫即可；

步驟50、純水浸泡：對步驟40中完成高溫烘烤的有機蒸鍍源陶瓷坩堝進行純水浸泡，浸泡時間為30min；

步驟60、烘干：對步驟50中完成純水浸泡的有機蒸鍍源陶瓷坩堝進行烘干，即可完成對有機蒸鍍源陶瓷坩堝的清洗再生。

其中一個實施例中，步驟20中，采用的有機清洗劑為氫氟醚、環丁砜、二氧六環Diox、N-甲基吡咯烷酮NMP、單甲基甲酰胺NMF、二甲基甲酰胺DMF或二甲基咪唑啉酮DMI中的任一種或兩種。

其中一個實施例中，步驟60中，所述烘干溫度為100℃-250℃。

本發明的有益效果在于：

1、化學清洗所選用清洗劑可實現有機蒸鍍材料的溶解，使陶瓷坩堝表面無有機蒸鍍材料附著；

2、陶瓷部品內部為多孔材料，高溫烘烤時陶瓷本體內部有機殘膜發生升華，升華的物質會從陶瓷本體孔隙中溢出，最終實現對陶瓷部品的徹底清洗；

3、本發明簡化洗凈流程、減少洗凈時間、降低人力成本，整體洗凈周期相對于普通清洗方式會節省80％的時間，大大降低人力成本；

4、合理完善的洗凈流程，損傷較小的再生方式。不會破壞陶瓷釉層,保證陶瓷本體表面的光潔度、平整度。

具體實施方式