[發明專利]一種硅壓力傳感器的溫度補償電路有效
| 申請號： | 202011449830.4 | 申請日： | 2020-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN112763128B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發明（設計）人： | 李成陽;謝佩韋;黎曙;何忠祥;賈志強 | 申請（專利權）人： | 武漢船用電力推進裝置研究所（中國船舶重工集團公司第七一二研究所） |
| 主分類號： | G01L9/06 | 分類號： | G01L9/06;G01L1/18 |
| 代理公司： | 武漢凌達知識產權事務所(特殊普通合伙) 42221 | 代理人： | 劉念濤;宋國榮 |
| 地址： | 430064 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓力傳感器 溫度 補償 電路 | ||
1.一種硅壓力傳感器的溫度補償電路，其特征在于：由彈性基底(6)、固定支撐結構(7)、半導體應變電阻電橋H(1)和半導體應變電阻電橋M(2)、基于第一運算放大器(OPA1)的反相比例放大電路(3)和基于第二運算放大器(OPA2)的同相加法電路(4)構成，半導體應變電阻電橋H(1)和半導體應變電阻電橋M(2)的輸入端接電壓源和地，電壓源電壓為Uin；所述的半導體應變電阻電橋H(1)為四個應變電阻RtH(8)連接構成的惠更斯平衡電橋，所述的半導體應變電阻電橋M(2)為四個應變電阻RtM(9)連接構成的惠更斯平衡電橋，半導體應變電阻電橋H(1)和半導體應變電阻電橋M(2)通過半導體擴散工藝沿彈性基底(6)應變方向平行刻蝕于彈性基底(6)表面，彈性基底(6)通過固定支撐結構(7)進行固定，應變電阻RtH(8)的靈敏度為KtH，具有負溫度系數βH，應變電阻RtM(9)的靈敏度為KtM，具有負溫度系數βM，應變電阻RtH(8)和應變電阻RtM(9)具有不同的摻雜濃度，應變電阻RtH(8)和應變電阻RtM(9)的負溫度系數近似滿足βM＝2βH，應變電阻RtH(8)和應變電阻RtM(9)均連接有引線端子(10)，當彈性基底(6)受到外部壓力時，應變電阻RtH(8)和應變電阻RtM(9)發生應變ε；半導體應變電阻電橋M(2)的輸出端子連接反相比例放大電路(3)，反相比例放大電路(3)的輸出端與半導體應變電阻電橋H(1)的輸出端連接同相加法電路(4)，同相加法電路(4)輸出端連接RC濾波電路，同相加法電路(4)中電阻R3、電阻R4、電阻R7、電阻Rf和電阻R5的阻值滿足電阻R3//電阻R4//電阻R7＝電阻Rf//電阻R5，電路的電壓輸出端(5)Uout＝K0HεUin，電路的電壓輸出端(5)連接一個RC濾波電路進行高次諧波濾波，第一運算放大器(OPA1)同相輸入端串聯的電阻R2與反向輸入端串聯的電阻R1的阻值滿足反相比例放大電路(3)的放大比例為-R2/R1，第二運算放大器(OPA2)同相輸入端串聯的電阻R4與第一運算放大器(OPA1)輸出端串聯的電阻R3的比值為2。
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