[發(fā)明專利]具有虛擬填充的精密電阻器結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011449250.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN114613562A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭朝亮;張澤飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/00
• 分類號(hào): H01C7/00;H01C1/084
• 代理公司: 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 吳珊;成春榮

1.一種具有虛擬填充的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

半導(dǎo)體襯底，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中的第一虛擬填充層；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底表面上的第一介電層，所述第一介電層中設(shè)置有第二虛擬填充層；

設(shè)置在所述第一介電層表面上的第二介電層，所述第二層介電層中設(shè)置有電阻體，所述電阻體兩端設(shè)置有互連結(jié)構(gòu)；

設(shè)置在所述第二介電層表面上的第三介電層，所述第三介電層中設(shè)置有金屬互連層，所述金屬互連層分別與兩端的所述互連結(jié)構(gòu)連接；

其中，所述第一虛擬填充層沿垂直于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，所述第二虛擬填充層沿垂直于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，并且，所述第一虛擬填充層和所述第二虛擬填充層相互平行且交替設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介電層中設(shè)置有另一金屬互連層，該另一金屬互連層設(shè)置在所述電阻體的下方并沿垂直于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，該另一金屬互連層與所述第一虛擬填充層重疊設(shè)置。

3.一種具有虛擬填充的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

半導(dǎo)體襯底，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中的第一虛擬填充層；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底表面上的第一介電層，所述第一介電層中設(shè)置有第二虛擬填充層；

設(shè)置在所述第一介電層表面上的第二介電層，所述第二層介電層中設(shè)置有電阻體，所述電阻體兩端設(shè)置有互連結(jié)構(gòu)；

設(shè)置在所述第二介電層表面上的第三介電層，所述第三介電層中設(shè)置有金屬互連層，所述金屬互連層分別與兩端的所述互連結(jié)構(gòu)連接；

其中，所述第一虛擬填充層沿平行于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，所述第二虛擬填充層沿平行于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，并且，所述第一虛擬填充層和所述第二虛擬填充層相互平行且交替設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介電層中設(shè)置有另一金屬互連層，該另一金屬互連層設(shè)置在所述電阻體的下方并沿平行于所述電阻體延伸的方向呈間隔排布，該另一金屬層與所述第一虛擬填充層重疊設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)包括：位于所述電阻體兩端的電阻頭；位于所述電阻頭上的通孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬互連層僅覆蓋所述互連結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬互連層覆蓋所述電阻體的區(qū)域，并且，兩端的所述金屬互連層不連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一虛擬填充層為銅鋁合金層，所述第二虛擬填充層為多晶硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一虛擬填充層與所述第二虛擬填充層之間的間隔距離為0.5μm至10μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的精密電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述精密電阻器為薄膜電阻器。