[發明專利]一種高性能（VNbTaMoW）C高熵碳化物陶瓷及其制備方法

在審

• 申請號: 202011448224.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112441837A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李賽賽;常兵;李明暉;陳若愚;高青青
• 申請（專利權）人: 安徽工業大學
• 主分類號: C04B35/56
• 分類號: C04B35/56;C04B35/622;C04B35/645
• 代理公司: 合肥順超知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34120
• 代理人: 徐文恭

1.一種高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：按質量份計，其所用原料包括五氧化二釩微粉0.5-2份、五氧化二鈮微粉0.5-2份、五氧化二鉭微粉0.5-2份、三氧化鉬微粉0.5-2份、三氧化二鎢微粉0.5-2份和活性碳微球5-15份。

2.根據權利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：其所用原料包括五氧化二釩微粉1份、五氧化二鈮微粉1份、五氧化二鉭微粉1份、三氧化鉬微粉1份、三氧化二鎢微粉1份和活性碳微球10份。

3.根據權利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述五氧化二釩微粉、五氧化二鈮微粉、五氧化二鉭微粉、三氧化鉬微粉和三氧化二鎢微粉各自的純度≥99％，粒徑≤5μm。

4.根據權利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述活性碳微球是以生物質為碳源，采用水熱法制備得到的碳微球，碳微球的粒徑≤0.5μm。

5.根據權利要求4所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述生物質為葡萄糖、蔗糖、淀粉中的至少一種。

6.一種高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)按設計組分，稱取五氧化二釩微粉、五氧化二鈮微粉、五氧化二鉭微粉、三氧化鉬微粉、三氧化二鎢微粉和活性碳微球作為原料；采用無水乙醇為介質，對原料進行球磨6-18h，再于100-120℃溫度中干燥8-24h，得到成分均勻的混合物；

2)將步驟1)得到的混合物進行熱壓燒結，制備(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷。

7.根據權利要求6所述高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制備方法，其特征在于：原料進行球磨后，再于110℃溫度中干燥12-18h。

8.根據權利要求6所述高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制備方法，其特征在于：所述熱壓燒結的溫度為1600-2000℃，保溫15-40min，壓力為20-60MPa，且當溫度達到燒結溫度時進行加壓。