[發明專利]兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路在審
| 申請號: | 202011446994.1 | 申請日: | 2020-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN112542953A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 王石武;艾育林 | 申請(專利權)人: | 深圳市瑞之辰科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H02M1/38 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 劉貽盛 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區民治街道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 兼容 ccm dcm 工作 模式 同步 整流 控制電路 | ||
本發明公開一種兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路,包括CCM控制模塊、第一負壓比較器、第二負壓比較器及邏輯控制模塊,CCM控制模塊與第二負壓比較器的輸出端相連,第一負壓比較器的第一輸入端及第二負壓比較器的第二輸入端作為同步整流控制電路的輸入端,第一負壓比較器的輸出端與一第一與門的第一輸入端連接,第一與門的輸出端與邏輯控制模塊的第一輸入端連接,第二負壓比較器的輸出端與一第一或門的第一輸入端連接,第一或門的輸出端與一第二與門的第一輸入端連接,CCM控制模塊的輸出端及第二負壓比較器的輸出端分別與一調制模塊的第一輸入端及第二輸入端連接,第二與門的輸出端與邏輯控制模塊的第二輸入端連接。
技術領域
本發明涉及電源管理技術領域,尤其涉及一種兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路。
背景技術
近年來隨著電子技術的快速發展,大規模集成電路尺寸不斷減小,功耗不斷降低,其要求的電路工作電壓越來越低,工作電流則越來越大。而輸出端整流管的損耗是開關電源損耗不可忽視的一部分,傳統的整流二極管導通壓降較高,即使采用低壓降的肖特基二極管,也會產生0.4V以上的壓降,導致導通損耗較大,電源效率較低。
鑒于此,有必要提供一種兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路以有效減小整流導通損耗,提高實現同步整流的效率。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路以有效減小整流導通損耗,提高實現同步整流的效率。
為解決上述技術問題,本發明采用如下所述的技術方案:一種兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制電路,CCM控制模塊、第一負壓比較器、第二負壓比較器及邏輯控制模塊,所述CCM控制模塊與第二負壓比較器的輸出端相連,所述第一負壓比較器的第一輸入端及第二負壓比較器的第二輸入端作為所述同步整流控制電路的輸入端,所述第一負壓比較器的輸出端與一第一與門的第一輸入端連接,所述第一與門的輸出端與邏輯控制模塊的第一輸入端連接,所述第二負壓比較器的輸出端與一第一或門的第一輸入端連接,所述第一或門的輸出端與一第二與門的第一輸入端連接,所述CCM控制模塊的輸出端及第二負壓比較器的輸出端分別與一調制模塊的第一輸入端及第二輸入端連接,所述調制模塊的輸出端與第二與門的第二輸入端連接,所述第二與門的輸出端與所述邏輯控制模塊的第二輸入端連接。
其進一步技術方案為:所述同步整流控制電路還包括一LDO供電模塊和一電壓及電流偏置模塊,所述電壓及電流偏置模塊與LDO供電模塊連接,以產生基準電壓和偏置電流。
其進一步技術方案為:所述CCM控制模塊包括導通信號調制單元,所述導通信號調制單元包括一第三負壓比較器、一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第一PMOS管及一第五PMOS管,所述第一NMOS管的漏極與一第一電流源相連,其柵極與一或非門的輸出端連接,所述調制模塊的輸出端通過一第一延時器與所述或非門的第一輸入端連接,所述調制模塊的輸出端與所述或非門的第二輸入端連接,所述第一NMOS管的源極與所述第三負壓比較器的第二輸入端連接,所述第三負壓比較器的輸出端作為CCM控制模塊的輸出端,其第一輸入端與所述第二NMOS管的漏極相連,所述第二NMOS管的源極接地,其柵極與一倒相放大器的輸出端相連,所述倒相放大器的輸入端與第二負壓比較器的輸出端相連,所述第二NMOS管的源極與漏極之間并接有一第二電容,所述第一PMOS管的源極與一第二電流源連接,其漏極與第二NMOS管的漏極相連,其柵極與所述倒相放大器的輸出端連接,所述第五PMOS管的源極與第一NMOS管的源極相連,其漏極與一第二運算放大器的輸出端相連,所述第五PMOS管的源極與漏極之間連接有一第一電容,所述第二運算放大器的反相輸入端與第五PMOS管的漏極相連。
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