[發(fā)明專利]單晶高溫合金型殼及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011444962.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN112658211A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓鳳奎;燕平;趙京晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北鋼研德凱科技有限公司
• 主分類號(hào): B22C9/04
• 分類號(hào): B22C9/04;B22C9/12;B22C9/22;B22C3/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王煥

1.單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在蠟型表面進(jìn)行涂掛料漿和撒砂處理，得到型殼模型；

將所述型殼模型脫蠟后進(jìn)行焙燒處理；

其中，所述涂掛料漿的方法包括：

在蠟型表面涂掛面層料漿、過渡層料漿、背層料漿和封嚴(yán)層料漿；

所述面層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2.2～4)的硅溶膠和剛玉粉；

所述過渡層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2～3.5)的硅溶膠和鋯英粉；

所述背層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2～3.5)的硅溶膠和鋯英粉；

所述封嚴(yán)層料漿包括質(zhì)量比為1﹕(2～3.5)的硅溶膠和鋯英粉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述剛玉粉的粒度為300目～1000目；

所述鋯英粉的粒度為200目～400目。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述撒砂的方法包括：在涂掛面層料漿、過渡層料漿、背層料漿后，分別進(jìn)行撒砂處理，所述撒砂為白剛玉砂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，各層所述料漿中還包括助劑；

優(yōu)選的，所述助劑包括消泡劑和/或潤(rùn)濕劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述面層料漿的粘度為30～60s，優(yōu)選為35～40s；

所述過渡層料漿的粘度為6～18s；

所述背層料漿的粘度為12～30s，優(yōu)選為12～18s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述涂掛料漿和撒砂處理的方法包括：

(a)在蠟型表面涂掛面層料漿，撒100#剛玉砂后干燥處理，形成面層；

(b)在面層表面涂掛過渡層料漿，撒100#剛玉砂后干燥處理，形成第一過渡層；

(c)在第一過渡層表面涂掛過渡層料漿，撒46#剛玉砂后干燥處理，形成第二過渡層；

(d)在第二過渡層表面涂掛背層涂料，撒24#剛玉砂后干燥處理，形成第一背層；

(e)重復(fù)步驟(d)的操作2～4次；

(f)在步驟(e)處理后的蠟型表面涂掛封嚴(yán)層料漿，干燥處理，形成封嚴(yán)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述干燥處理的條件包括：于17～22℃、40％～60％RH條件下進(jìn)行干燥；

優(yōu)選的，每步干燥的時(shí)間≥4h。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，所述焙燒處理的溫度為1000～1100℃，所述焙燒處理的時(shí)間為2～2.5h。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶高溫合金型殼的制備方法，其特征在于，采用高壓脫蠟釜進(jìn)行所述脫蠟；

優(yōu)選的，所述脫蠟的壓力為0.6～0.7MPa，溫度為165～170℃，脫蠟的時(shí)間為15～20min。

10.采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法制得的單晶高溫合金型殼。