[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的加工方法及半導(dǎo)體器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011444654.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112582277A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉國(guó)梁;陳俊宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅(jiān)怡

1.一種半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體預(yù)制件；其中，所述半導(dǎo)體預(yù)制件包括襯底、設(shè)置在所述襯底的一表面上的第一介質(zhì)層以及嵌設(shè)于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的至少一金屬引出端；

在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面開(kāi)設(shè)溝槽，所述溝槽暴露出所述金屬引出端；

在所述溝槽內(nèi)形成連接墊，所述連接墊與所述金屬引出端連通，且所述連接墊的上表面低于所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面；

對(duì)所述半導(dǎo)體預(yù)制件進(jìn)行扎針測(cè)試；其中，對(duì)所述半導(dǎo)體預(yù)制件進(jìn)行扎針測(cè)試之后所述連接墊表面形成凸起部；

在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述凸起部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述凸起部的步驟之后，還包括：

平坦化所述第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)表面進(jìn)行處理，以露出所述連接墊，用于后續(xù)鍵合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述金屬引出端形成于所述第一介質(zhì)層最靠近所述襯底的位置，且位于所述溝槽底部下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體預(yù)制件還包括嵌設(shè)于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的多層金屬層，所述多層金屬層相互連通且通過(guò)所述金屬引出端引出以與所述連接墊電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述金屬引出端與所述多層金屬層偏離設(shè)置，所述溝槽與所述多層金屬層沿平行于所述第一介質(zhì)層的方向間隔設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述在所述溝槽內(nèi)形成連接墊的步驟具體包括：

在至少所述溝槽內(nèi)沉積導(dǎo)電層；

對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行處理使所述導(dǎo)電層的上表面低于所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述在至少所述溝槽內(nèi)沉積導(dǎo)電層的步驟具體包括：

在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面及所述溝槽內(nèi)沉積導(dǎo)電層；

對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行處理的步驟具體包括：

去除位于所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面的所述導(dǎo)電層，同時(shí)去除位于所述溝槽邊緣的部分所述導(dǎo)電層；及

對(duì)位于所述溝槽內(nèi)的所述導(dǎo)電層進(jìn)行減薄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的加工方法，其特征在于，所述在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面形成第二介質(zhì)層的步驟之后，還包括：

對(duì)所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的表面進(jìn)行打磨。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

第一介質(zhì)層，設(shè)置在所述襯底的一表面上，且所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面開(kāi)設(shè)有溝槽；

至少一金屬引出端，嵌設(shè)于所述第一介質(zhì)層內(nèi)；其中，所述襯底、所述第一介質(zhì)層和所述至少一金屬引出端形成半導(dǎo)體預(yù)制件；

連接墊，包括凸起部，所述連接墊容置在所述溝槽內(nèi)并與所述至少一金屬引出端連通；

第二介質(zhì)層，層疊設(shè)置在所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的表面，并覆蓋所述凸起部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬引出端位于所述第一介質(zhì)層最靠近所述襯底的位置，且位于所述溝槽底部下方。