[發(fā)明專利]晶圓檢測方法、半導(dǎo)體檢測設(shè)備及存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011444611.7 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112635346A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳魯;佟異;張鵬斌;張嵩 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳中科飛測科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
| 地址: | 518110 廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 方法 半導(dǎo)體 設(shè)備 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種晶圓檢測方法,其特征在于,所述檢測方法包括:
掃描所述晶圓的第一區(qū)域,以獲取所述第一區(qū)域內(nèi)的第一芯片的第一信息;
根據(jù)所述第一信息獲取標(biāo)準(zhǔn)芯片;
根據(jù)所述第一信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第一芯片;
掃描所述晶圓的第二區(qū)域,以獲取所述第二區(qū)域內(nèi)的第二芯片的第二信息;及
根據(jù)所述第二信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第二芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述第一芯片包括多個,所述第一信息包括灰度值,所述根據(jù)所述第一信息獲取標(biāo)準(zhǔn)芯片,包括:
根據(jù)每個所述第一芯片的每一像素點的灰度值獲取每個所述第一芯片的灰度值;
根據(jù)每個所述第一芯片的灰度值獲取多個所述第一芯片的平均灰度值;及
根據(jù)所述平均灰度值獲得標(biāo)準(zhǔn)芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第一芯片,包括:
比較每個所述第一芯片的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)芯片的灰度值以獲取多個第一偏差值;
當(dāng)所述第一偏差值超過預(yù)設(shè)范圍時,具有超過預(yù)設(shè)范圍的所述第一偏差值的所述第一芯片為缺陷芯片;及
當(dāng)所述第一偏差值位于所述預(yù)設(shè)范圍時,具有位于所述預(yù)設(shè)范圍的所述第一偏差值的所述第一芯片為合格芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法,其特征在于,所述第二芯片包括多個,所述第二信息包括灰度值,所述根據(jù)所述第二信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第二芯片,包括:
比較每個所述第二芯片的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)芯片的灰度值以獲取多個第二偏差值;
當(dāng)所述第二偏差值超過預(yù)設(shè)范圍時,具有超過預(yù)設(shè)范圍的所述第二偏差值的所述第二芯片為缺陷芯片;及
當(dāng)所述第二偏差值位于所述預(yù)設(shè)范圍時,具有位于所述預(yù)設(shè)范圍的所述第二偏差值的所述第二芯片為合格芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述第一芯片包括多個,每個所述第一芯片包括多個像素點,所述第一芯片的第一信息包括所述第一芯片中每個像素點的灰度值;所述根據(jù)所述第一信息獲取標(biāo)準(zhǔn)芯片,包括:
根據(jù)多個所述第一芯片上位置對應(yīng)的所述像素點的灰度值獲取該位置的所述像素點的平均灰度值;及
將所有位置的所述像素點的平均灰度值形成像素陣列,以獲取所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述第一芯片包括多個,每個所述第一芯片包括多個像素點,所述第一芯片的第一信息包括所述第一芯片中每個像素點的灰度值;所述根據(jù)所述第一信息獲取標(biāo)準(zhǔn)芯片,包括:
獲取多個所述第一芯片上位置對應(yīng)的所述像素點的灰度值;
將出現(xiàn)次數(shù)超過預(yù)設(shè)次數(shù)的灰度值作為該位置的所述像素點的平均像素值;及
將所有位置的所述像素點的平均灰度值形成像素陣列,以獲取所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的檢測方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第一芯片,包括:
比較每個所述第一芯片中每個所述像素點的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)芯片中位置對應(yīng)的所述像素點的灰度值以獲取多個第一灰度差;
當(dāng)所述第一灰度差值超過預(yù)定范圍時,具有超過預(yù)定范圍的所述第一灰度差的所述第一芯片為缺陷芯片;及
當(dāng)所有所述第一灰度差值均位于所述預(yù)定范圍時,所述第一芯片為合格芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的檢測方法,其特征在于,所述第二芯片包括多個,每個所述第二芯片包括多個像素點,所述第二芯片的第二信息包括所述第二芯片中每個像素點的灰度值;所述根據(jù)所述第二信息及所述標(biāo)準(zhǔn)芯片檢測所述第二芯片,包括:
比較每個所述第二芯片中每個所述像素點的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)芯片中位置對應(yīng)的所述像素點的灰度值以獲取多個第二灰度差;
當(dāng)所述第二灰度差值超過預(yù)定范圍時,具有超過預(yù)定范圍的所述第二灰度差的所述第二芯片為缺陷芯片;及
當(dāng)所有所述第二灰度差值均位于所述預(yù)定范圍時,所述第二芯片為合格芯片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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