[發明專利]共晶焊接設備及其加熱系統有效
| 申請號: | 202011444600.9 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN113161250B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 吳超;曾義;徐金萬;蔣星;余再歡 | 申請(專利權)人: | 恩納基智能科技無錫有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京智宇正信知識產權代理事務所(普通合伙) 11876 | 代理人: | 于理科 |
| 地址: | 214037 江蘇省無錫市金山北科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 焊接設備 及其 加熱 系統 | ||
1.一種共晶焊接設備(100),用于對上晶圓(210)和下晶圓(220)進行共晶鍵合操作,包括:晶圓臺(120),用于承載所述上晶圓(210)和所述下晶圓(220),并對所述上晶圓(210)和所述下晶圓(220)進行加熱;以及壓力組件(110),用于對所述上晶圓(210)施加壓力,其特征在于,還包括:
溫度傳感器陣列,包括設置于所述壓力組件(110)的下表面的多個溫度傳感器(150),并且所述多個溫度傳感器(150)分別與所述上晶圓(210)的上表面的多個區域對應;
加熱組件陣列,包括設置于所述晶圓臺(120)內的多個加熱組件(160),并且所述多個加熱組件(160)分別與所述多個溫度傳感器(150)對應;以及
控制裝置(140),與所述多個溫度傳感器(150)和所述多個加熱組件(160)進行通信,配置用于根據所述多個溫度傳感器(150)的測量溫度值,調節所述多個加熱組件(160)的加熱溫度,使得所述上晶圓(210)和所述下晶圓(220)在晶圓平面內的溫度均勻分布,并且其中,
控制裝置(140)根據所述多個溫度傳感器(150)的測量溫度值,調節所述多個加熱組件(160)的加熱溫度的操作,包括:
從所述多個溫度傳感器(150)接收所述多個溫度傳感器(150)的測量溫度值;
獲取分別與所述多個區域對應的參考溫度值;
將所述多個溫度傳感器(150)的測量溫度值分別與對應的參考溫度值進行比對;以及
根據所述比對的比對結果,調節與各個溫度傳感器(150)對應的加熱組件(160)的加熱溫度。
2.根據權利要求1所述的共晶焊接設備(100),其特征在于,所述加熱組件(160)包括:殼體(161);固定于所述殼體(161)內的固定座(162);以及設置于所述固定座(162)的電加熱元件(163),其中所述電加熱元件(163)包括:
電熱棒(1631),固定于所述固定座(162)的固定孔(1621)內;以及
加熱片(1632),與所述電熱棒(1631)連接,并且與所述晶圓臺(120)的頂板(121)的內表面抵接。
3.根據權利要求2所述的共晶焊接設備(100),其特征在于,所述加熱組件(160)還包括與所述電熱棒(1631)連接的電壓調節組件(164),所述電壓調節組件(164)配置用于向所述電熱棒(1631)提供電流,并且所述電壓調節組件(164)還配置為根據所述控制裝置(140)的指令,調節提供至所述電熱棒(1631)的電壓的大小。
4.根據權利要求3所述的共晶焊接設備(100),其特征在于,所述固定座(162)與所述加熱片(1632)之間形成有間隙(166),并且所述固定座(162)還設置有分別與所述間隙(166)連通的進氣孔(1622)和出氣孔(1623),其中
所述進氣孔(1622)與進氣管路連通,并且所述進氣管路與氣源連接;以及
所述出氣孔(1623)與出氣管路連通,并且其中
所述控制裝置(140)還配置用于與設置于所述進氣管路的開關元件(170)通信,控制所述開關元件(170)的通斷。
5.根據權利要求4所述的共晶焊接設備(100),其特征在于,加熱組件(160)還包括設置于進氣孔(1622)內的氣流調節組件(165),并且所述控制裝置(140)還配置用于與所述氣流調節組件(165)通信,調節通過所述氣流調節組件(165)的氣流流量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





