[發明專利]一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜

在審

• 申請號: 202011444534.5
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112526644A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 李玉平;李若楠;邊慧敏;胡慧君;韓培德;張凱
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;C30B30/02;C30B29/18;C30B29/64;C30B7/12
• 代理公司: 北京艾皮專利代理有限公司 11777
• 代理人: 劉剛

1.一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜，其特征在于，所述光子晶體薄膜的結構是一種垂直取向的介孔薄膜結構，所述介孔薄膜結構的厚度為20-200 nm，介孔孔徑尺寸為2nm-4nm，介孔孔道呈六方排列；所述的光子晶體薄膜的材料為二氧化硅；

當入射角3°＞i＞0°時，所述光子晶體薄膜對5-12nm極紫外波段的反射率高于65%。

2.根據權利要求1所述的一一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜，其特征在于，其制備方法包括以下步驟：

稱取硅源、表面活性劑、硝酸鈉、水和乙醇攪拌均勻，用鹽酸調節其pH值為3，進行充分水解，得到混合溶液；所述混合溶液中表面活性劑：硅源：水：乙醇：硝酸鈉：鹽酸的摩爾比為0.064-0.122：0.2-0.38：111.11：34.25：0.2：0.012；

將導電基底置于上述溶膠中，施加電壓-1.2V ~ -1.5V的恒電壓或電流密度為 -0.3mA·cm-2～ -0.74mA·cm-2的恒電流 10s - 40s。

3.根據權利要求2所述的一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜，其特征在于，所述混合溶液中表面活性劑：硅源：水：乙醇：硝酸鈉的摩爾比為0.070-0.096：0.22-0.30：111.11：34.25：0.2：0.012。

4.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑為十二烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基溴化銨、二十二烷基三甲基溴化銨中的一種。

5.根據權利要求2或3所述的一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜，其特征在于，所述硅源為正硅酸四乙酯、白炭黑、硅溶膠中的一種。

6.根據權利要求2或3所述的一種極紫外波段寬帶隙高反射率光子晶體薄膜，其特征在于，所述基底為ITO導電玻璃、單拋硅片、不銹鋼、Au電極、Cu 電極中的一種。