[發(fā)明專(zhuān)利]窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算方法和計(jì)算裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011444462.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112528496B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李青;李赫然;何懷勝;王小虎;楊世民;王文順;王俊;方軍;楊道輝;沈利芳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蕪湖東旭光電科技有限公司;東旭光電科技股份有限公司;東旭科技集團(tuán)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F30/20 | 分類(lèi)號(hào): | G06F30/20 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰濱;王曉曉 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪湖*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 窯爐內(nèi) 電極 侵蝕 計(jì)算方法 計(jì)算 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算方法和計(jì)算裝置,屬于玻璃基板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。所述窯爐內(nèi)有至少一組相對(duì)設(shè)置的電極磚,所述方法包括:獲取電極磚間的初始加載電流以及電極磚兩側(cè)的初始對(duì)地電壓;獲取窯爐運(yùn)行預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)后電極磚間的運(yùn)行電流以及電極磚兩側(cè)的實(shí)際對(duì)地電壓;基于所述初始加載電流、所述初始對(duì)地電壓、所述運(yùn)行電流和所述實(shí)際對(duì)地電壓,計(jì)算出電極磚總侵蝕量;基于所述初始對(duì)地電壓、所述實(shí)際對(duì)地電壓和所述電極磚總侵蝕量,計(jì)算出電極磚的單側(cè)的侵蝕量。本發(fā)明能夠精確計(jì)算出兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的電極磚各自的侵蝕量,為單側(cè)電極磚的推進(jìn)提供依據(jù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及玻璃基板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算方法和一種窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算裝置。
背景技術(shù)
OLED及LTPS高溫平板顯示玻璃基板窯爐采用電加熱為主,燃?xì)饧訜釣檩o的熔制方式,窯爐的池壁兩側(cè)成對(duì)布置板狀電極磚,通過(guò)對(duì)成對(duì)電極磚進(jìn)行通電,使成對(duì)電極磚之間的熔融玻璃產(chǎn)生焦耳熱,從而對(duì)配合料進(jìn)行熔制。隨著玻璃窯爐運(yùn)行時(shí)間的推移,與玻璃液接觸的板狀電極磚不斷被侵蝕,電極磚間距不斷增大,電助熔能耗隨之不斷增加,各區(qū)域功率變化量的不同,導(dǎo)致窯爐工藝產(chǎn)生偏移,不利于窯爐的穩(wěn)定生產(chǎn),因此,需要及時(shí)進(jìn)行板狀電極磚的推進(jìn)。
在沿窯爐液流的流向方向上,由于各區(qū)溫度不同及距離玻璃液流出口位置的不同,窯內(nèi)不同位置的電極磚侵蝕量也不同;各電極磚由于外部環(huán)境及所處的位置不同,即使是一組相對(duì)設(shè)置的電極磚,其各單側(cè)電極磚亦存在一定程度的侵蝕差異性,如果只是簡(jiǎn)單的計(jì)算電極磚整體的推進(jìn)量,再將推進(jìn)量進(jìn)行平均得到單側(cè)電極磚大概的推進(jìn)量,同樣可能導(dǎo)致窯爐工藝產(chǎn)生偏移,不利于窯爐的穩(wěn)定生產(chǎn),因此,尚需一種對(duì)電極磚單側(cè)的侵蝕量分別進(jìn)行計(jì)算的方法,通過(guò)電極磚單側(cè)的侵蝕量為單側(cè)電極磚制定不同推進(jìn)量,使推進(jìn)量更加精確。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施方式的目的是提供一種窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算方法和裝置,以至少解決上述的無(wú)法精確獲取單側(cè)電極磚侵蝕量,無(wú)法為單側(cè)電極磚制定不同推進(jìn)量,不利于窯爐的穩(wěn)定生產(chǎn)的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明第一方面提供一種窯爐內(nèi)電極磚侵蝕量計(jì)算方法,所述窯爐內(nèi)有至少一組相對(duì)設(shè)置的第一電極磚和第二電極磚,所述方法包括:
獲取所述第一電極磚與所述第二電極磚間的初始加載電流、所述第一電極磚的初始對(duì)地電壓以及所述第二電極磚的初始對(duì)地電壓;
獲取窯爐運(yùn)行預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)后所述第一電極磚與所述第二電極磚間的運(yùn)行電流、所述第一電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓以及所述第二電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓;
基于所述初始加載電流、所述第一電極磚的初始對(duì)地電壓、所述第二電極磚的初始對(duì)地電壓、所述運(yùn)行電流、所述第一電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓和所述第二電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓,計(jì)算得到電極磚總侵蝕量;
基于所述第一電極磚的初始對(duì)地電壓、所述第二電極磚的初始對(duì)地電壓、所述第一電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓、所述第二電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓和所述電極磚總侵蝕量,計(jì)算得到第一電極磚的侵蝕量和第二電極磚的侵蝕量。
可選的,所述基于所述初始加載電流、所述第一電極磚的初始對(duì)地電壓、所述第二電極磚的初始對(duì)地電壓、所述運(yùn)行電流、所述第一電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓和所述第二電極磚的實(shí)際對(duì)地電壓,計(jì)算得到電極磚總侵蝕量,包括:
獲取窯爐的基本結(jié)構(gòu)參數(shù),包括:窯爐深度、窯爐寬度、窯爐長(zhǎng)度和窯爐長(zhǎng)度方向上電極磚累計(jì)對(duì)數(shù);
基于所述基本結(jié)構(gòu)參數(shù)得到所述第一電極磚和所述第二電極磚之間玻璃導(dǎo)體的初始長(zhǎng)度、所述第一電極磚和所述第二電極磚的高度和寬度;
基于所述第一電極磚和所述第二電極磚的高度和寬度,計(jì)算得到第一電極磚和第二電極磚之間玻璃導(dǎo)體的截面積;
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于蕪湖東旭光電科技有限公司;東旭光電科技股份有限公司;東旭科技集團(tuán)有限公司,未經(jīng)蕪湖東旭光電科技有限公司;東旭光電科技股份有限公司;東旭科技集團(tuán)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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