[發(fā)明專利]氧化鎵晶體生長裝置及生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011443881.6 | 申請日： | 2020-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN112680780A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 狄聚青;朱劉;劉運連;薛帥;唐俊杰 | 申請（專利權）人： | 廣東先導先進材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 張向琨 |
| 地址： | 511517 廣東省清*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 晶體生長 裝置 生長 方法 | ||
1.一種氧化鎵晶體生長裝置，其特征在于，所述氧化鎵晶體生長裝置包括坩堝(1)、坩堝托(2)、爐體(3)、溫控裝置(4)以及蓋板(5)；
所述坩堝(1)具有第一端(1a)和第二端(1b)，所述坩堝(1)的第一端(1a)設置有用于盛裝籽晶的籽晶腔(11)，且所述籽晶腔(11)封閉，所述坩堝(1)的第二端(1b)通過蓋板(5)密封，所述蓋板(5)上開設有溢氣孔(51)；
所述爐體(3)設置有爐腔(31)，所述坩堝(1)位于所述爐腔(31)內，且所述坩堝(1)支撐于所述坩堝托(2)上；所述爐腔(31)由下至上依次設置有第一溫區(qū)(311)、第二溫區(qū)(312)和第三溫區(qū)(313)，所述溫控裝置(4)設置于所述第一溫區(qū)(311)、所述第二溫區(qū)(312)和所述第三溫區(qū)(313)，用于加熱所述第一溫區(qū)(311)、所述第二溫區(qū)(312)和所述第三溫區(qū)(313)并控制所述第一溫區(qū)(311)、所述第二溫區(qū)(312)和所述第三溫區(qū)(313)的溫度；
所述坩堝(1)的所述籽晶腔(11)設置于所述第一溫區(qū)(311)，所述坩堝(1)的第二端(1b)設置于所述第三溫區(qū)(313)。
2.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎵晶體生長裝置，其特征在于，坩堝(1)包括肩部(12)和等徑部(13)，所述肩部(12)連接于所述等徑部(13)和所述籽晶腔(11)之間；沿爐腔(31)的上下方向(Z)，所述籽晶腔(11)和所述肩部(12)的連接位置位于所述第一溫區(qū)(311)的高度的1/2位置處。
3.根據(jù)權利要求2所述的氧化鎵晶體生長裝置，其特征在于，所述坩堝(1)的所述肩部(12)的截面為圓錐形，且圓錐角為60°-120°。
4.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎵晶體生長裝置，其特征在于，所述蓋板(5)為銥金蓋板。
6.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎵晶體生長裝置，其特征在于，所述坩堝(1)與所述坩堝托(2)形狀配合地支撐于所述坩堝托(2)上。
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