[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202011443712.2 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112582454A | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 彭文龍;陳建鋒 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供了一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板包括:柔性基底層;走線層,設于所述柔性基底層上,且包括多條信號走線;平坦化層,設于所述柔性基底層和所述走線層上;其中,所述信號走線上設有沿所述信號走線厚度方向設置的多個孔,并且所述平坦化層填充至多個所述孔中。通過使信號走線具有多個孔,并用平坦化層填充多個所述孔,從而能夠提高顯示器件彎折性能。
技術領域
本發明大體上涉及顯示技術領域,并且更具體地涉及顯示面板及顯示裝置。
背景技術
近年來,OLED(Organic Light Emitting Diode:有機發光二極管)顯示技術發展突飛猛進,OLED產品由于具有輕薄、響應快、廣視角、高對比度、柔性等優點,受到了越來越多的關注和應用,主要應用在手機、平板、電視等顯示領域。柔性OLED顯示面板裝置由下到上包括柔性層、TFT(Thin Film Transistor:薄膜場效應晶體管)驅動層、OLED發光層、封裝層等。OLED的發光原理是在兩個電極之間沉積OLED發光層,對OLED發光層通以電流,通過載流子注入和復合而導致發光。
然而,柔性OLED顯示面板的顯示屏幕在經過多次折疊后,折疊位置處的線路由于應力集中而受到影響,輕則導致元器件的電特性偏移,形成顯示異常類不良,重則使得產品線路斷裂而導致產品直接報廢。
發明內容
鑒于上述內容,本發明提出了一種顯示面板及顯示裝置,能夠提高顯示器件彎折性能。
為實現上述目的及其它相關目的,本發明的一方面提供了一種顯示面板,包括彎折區和與所述彎折區相鄰的非彎折區,所述顯示面板包括:
柔性基底層;
走線層,設于所述柔性基底層上,且包括多條信號走線;
平坦化層,設于所述柔性基底層和所述走線層上;
其中,所述信號走線上設有沿所述信號走線厚度方向設置的多個孔,并且所述平坦化層填充至多個所述孔中。
在一些實施例中,多個所述孔沿所述信號走線的延伸方向間隔排布,且多個所述孔沿所述信號走線的厚度方向貫穿所述信號走線。
在一些實施例中,多條所述信號走線包括位于所述非彎折區的復位信號走線、數據信號走線以及驅動電壓走線,其中,多個所述孔位于所述驅動電壓走線上。
在一些實施例中,多個所述孔的直徑小于所述驅動電壓走線的寬度,且多個所述孔在所述柔性基底層上的投影位于所述驅動電壓走線在所述柔性基底層上的投影范圍內。
在一些實施例中,在所述驅動電壓走線的寬度方向上,所述驅動電壓走線的兩側邊界與所述孔的距離為0.4微米-1.2微米。
在一些實施例中,所述孔在所述柔性基底層上的投影與所述驅動電壓走線在所述柔性基底層上的投影部分重疊,所述孔在所述驅動電壓走線的兩側邊緣形成缺口,且所述驅動電壓走線的兩側邊緣的缺口交錯分布,以形成曲線狀的所述驅動電壓走線。
在一些實施例中,所述孔的形狀為圓形、長方形、或三角形中的任一種。
在一些實施例中,所述柔性基底層包括:
層疊設置的襯底層、有源層、第一絕緣層、第一柵極層、第二絕緣層、第二柵極層以及介電層;以及源漏極層,設于所述介電層上,并穿過所述介電層、所述第二絕緣層和所述第一絕緣層與所述有源層的兩端連接,
其中,所述走線層設于所述介電層上,所述平坦化層設于所述介電層和所述源漏極層上,
其中,所述驅動電壓走線中的多個所述孔延伸穿過所述介電層、所述第二絕緣層和所述第一絕緣層。
在一些實施例中,所述平坦化層的材料為聚酰亞胺有機光阻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





