[發(fā)明專利]吸聲結(jié)構(gòu)及吸聲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011442711.6 | 申請日: | 2020-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN112669802A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳建棟;黃唯純;解龍翔;顏學(xué)俊;鐘雨豪;錢斯文;盧明輝;劉樂;馬仁杰 | 申請(專利權(quán))人: | 南京光聲超構(gòu)材料研究院有限公司;南京大學(xué) |
| 主分類號: | G10K11/172 | 分類號: | G10K11/172 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 宋永慧 |
| 地址: | 210046 江蘇省南京市棲霞*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸聲 結(jié)構(gòu) 裝置 | ||
1.一種吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,包括亥姆霍茲共振器陣列,其中,每個所述亥姆霍茲共振器包括:
罩殼,具有相對設(shè)置的第一側(cè)和第二側(cè),所述第一側(cè)開設(shè)有微孔;以及,
插管,設(shè)于所述罩殼內(nèi)部,與所述第一側(cè)連接并向所述第二側(cè)延伸,所述插管與所述微孔共軸,且所述插管的孔徑與所述微孔的孔徑相等;
各所述罩殼的第一側(cè)共同形成所述吸聲結(jié)構(gòu)的聲波射入面,且在預(yù)設(shè)頻段內(nèi),所述亥姆霍茲共振器陣列的整體聲阻抗與空氣的聲阻抗相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,所述罩殼包括正六棱柱罩殼或長方體罩殼。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,各所述亥姆霍茲共振器的微孔孔徑不全相同;和/或,各所述亥姆霍茲共振器的插管長度不全相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,各所述亥姆霍茲共振器的微孔孔徑各不相同;和/或,各所述亥姆霍茲共振器的插管長度各不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,各所述罩殼的第一側(cè)位于同一面內(nèi),且所述亥姆霍茲共振器陣列的整體聲阻抗Z滿足:其中,ZHH表示所述亥姆霍茲共振器的聲阻抗,n表示所述亥姆霍茲共振器的序數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,所述亥姆霍茲共振器的聲阻抗ZHH滿足:
其中,A表示整個所述第一側(cè)的面積,Sa表示所述微孔的開口面積,l表示所述插管的長度,L表示所述第一側(cè)至所述第二側(cè)內(nèi)表面的垂直距離,VHH表示所述亥姆霍茲共振器的共鳴腔體積,ρcc、ccc及kcc分別表示所述共鳴腔內(nèi)空氣的密度、聲速以及波數(shù),kca、Ψva及Ψha分別表示所述插管在狹窄聲學(xué)下的波數(shù)、粘度項以及熱力項,γ表示空氣的比熱容,δΩ表示聲質(zhì)量末端修正項,τΩ表示修正因子,ω表示角頻率,η表示空氣的粘滯系數(shù),ρ0表示空氣自然條件下的密度,c0表示聲音在外界空氣中的傳播速度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述罩殼包括依次連接的頂蓋、殼身和底蓋,所述頂蓋開設(shè)有所述微孔并蓋合在所述殼身的一側(cè),所述底蓋蓋合在所述殼身遠(yuǎn)離所述頂蓋的一側(cè);
所述插管與所述頂蓋連接并向所述底蓋延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,所述頂蓋和所述插管一體成型。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的吸聲結(jié)構(gòu),其特征在于,所述預(yù)設(shè)頻段為100Hz~1000Hz。
10.一種吸聲裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的吸聲結(jié)構(gòu)。
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