[發明專利]掩模、掩模的制造方法和利用掩模的顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 202011441701.0 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN113643965A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 金楨國;金輝;李雅凜;樸相河;宋昇勇;黃圭煥 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;姜長星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩模 制造 方法 利用 顯示裝置 | ||
1.一種掩模,包括:
第一開口部;
第一遮蔽部,圍繞所述第一開口部;
第二遮蔽部,布置于所述第一開口部與所述第一遮蔽部之間,并且包括從所述第一開口部朝向所述第一遮蔽部延伸的多個狹縫;以及
第三遮蔽部,布置于所述第一開口部與所述第二遮蔽部之間,并且與所述狹縫連接。
2.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第二遮蔽部的厚度。
3.如權利要求2所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的上表面與所述第二遮蔽部的上表面位于同一高度。
4.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第三遮蔽部的寬度。
5.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部在平面上是圓弧的形狀。
6.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述多個狹縫中的每一個在平面上是梯形形狀。
7.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述多個狹縫彼此相隔。
8.如權利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第一開口部具有拐角為圓弧的矩形形狀,
所述第二遮蔽部布置于所述第一開口部的所述拐角與所述第一遮蔽部之間。
9.如權利要求8所述的掩模,還包括:
第二開口部,布置于所述第一開口部的側面與所述第一遮蔽部之間。
10.一種掩模的制造方法,包括如下步驟:
準備定義有第一開口區域、圍繞所述第一開口區域的第一遮蔽區域、布置于所述第一開口區域與所述第一遮蔽區域之間的第二遮蔽區域以及布置于所述第一開口區域與所述第二遮蔽區域之間的第三遮蔽區域的基層;
去除所述基層的與所述第三遮蔽區域重疊的區域的一部分,來形成第三遮蔽部;
去除所述基層的與所述第一開口區域重疊的區域,來形成第一開口部;以及
在所述基層的與所述第二遮蔽區域重疊的區域形成包括從所述第一開口區域朝向所述第一遮蔽區域延伸的多個狹縫的第二遮蔽部。
11.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
形成所述第三遮蔽部的步驟中,去除所述基層的與所述第三遮蔽區域重疊的所述區域的下部的一部分。
12.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部的上表面與所述第二遮蔽部的上表面位于同一高度。
13.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第三遮蔽部的寬度。
14.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部在平面上是圓弧的形狀。
15.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述多個狹縫中的每一個在平面上是梯形形狀。
16.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述多個狹縫彼此相隔。
17.如權利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第一開口部具有拐角為圓弧的矩形形狀,
所述第二遮蔽部布置于所述第一開口部的所述拐角與對應于所述第一遮蔽區域的第一遮蔽部之間。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





