[發明專利]驗證掃描透射電鏡分辨率的標樣及其制備方法、驗證方法

有效

• 申請號: 202011441298.1
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112697827B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 吳詩嫣;劉軍
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G01N23/2202
• 分類號: G01N23/2202;G01N23/2251
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本發明實施例公開了一種驗證掃描透射電鏡分辨率的標樣及其制備方法，所述方法包括：提供一表面為(100)晶面的硅基底，所述硅基底的所述表面具有目標區域；圍繞所述目標區域，對所述硅基底進行切割，得到一包含所述目標區域的樣品；對所述樣品的所述目標區域進行加工，暴露出待掃描面，得到包含所述待掃描面的標樣；其中，所述待掃描面為{112}晶面族中的晶面。

技術領域

本發明涉及顯微鏡領域，具體是涉及一種驗證掃描透射電鏡分辨率的標樣及其制備方法、驗證方法。

背景技術

球差校正掃描透射電鏡(C_s corrected STEM)以其超高分辨率成為研究納米材料的利器。

然而，現有的驗證球差校正掃描透射電鏡分辨率的方法復雜且不直觀。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例為解決背景技術中存在的至少一個問題而提供一種驗證掃描透射電鏡分辨率的標樣及其制備方法。

為了達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種驗證掃描透射電鏡分辨率的標樣的制備方法，所述方法包括：

提供一表面為(100)晶面的硅基底，所述硅基底的所述表面具有目標區域；

圍繞所述目標區域，對所述硅基底進行切割，得到一包含所述目標區域的樣品；

對所述樣品的所述目標區域進行加工，暴露出待掃描面，得到包含所述待掃描面的標樣；

其中，所述待掃描面為{112}晶面族中的晶面。

上述方案中，在對所述硅基底進行切割之前，所述方法還包括：

在所述目標區域沉積保護層。

上述方案中，所述對所述硅基底進行切割，包括：

沿所述目標區域的部分邊界對所述硅基底進行切割，使得所述目標區域通過部分側邊與所述硅基底的其他區域相連接；

沿所述部分側邊對所述硅基底進行切割，切斷所述目標區域與所述其他區域之間的連接，得到與所述其他區域分離的所述樣品。

上述方案中，所述目標區域為四邊形；

所述沿所述目標區域的部分邊界對所述硅基底進行切割，使得所述目標區域通過部分側邊與所述硅基底的其他區域相連接，包括：

沿所述目標區域的三個側邊進行切割，暴露出與所述表面相垂直的三個側面；

沿暴露出的至少一個所述側面對所述硅基底的內部進行切割，形成在所述目標區域內與所述表面相對的底面，使得所述目標區域僅通過一個側邊與所述硅基底的其他區域相連接。

上述方案中，所述沿所述部分側邊對所述硅基底進行切割，切斷所述目標區域與所述其他區域之間的連接，得到與所述其它區域分離的所述樣品，具體包括：

用轉移部件固定所述目標區域所在的表面；

沿所述部分側邊對所述硅基底進行切割，切斷所述目標區域與所述其他區域之間的連接，得到包含所述目標區域的且與所述其它區域分離的所述樣品，所述樣品與所述轉移部件固定連接。

上述方案中，所述對所述硅基底進行切割采用聚焦離子束執行。

上述方案中，對所述樣品的目標區域進行加工，包括：

確定基準平面；

將所述樣品的所述目標區域所在的表面自所述基準平面逆時針旋轉35.3°；

沿平行于所述基準平面的方向對所述樣品的所述目標區域所在的表面進行切割。