[發明專利]功率放大電路以及電子設備

在審

• 申請號: 202011440542.2
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112636706A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 李科舉;胡淵
• 申請（專利權）人: 富滿微電子集團股份有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20
• 代理公司: 上?；坳现R產權代理事務所(普通合伙) 31343
• 代理人: 徐海晟

1.一種功率放大電路，其特征在于，包括功率放大器、輸入匹配網絡和輸出匹配網絡，所述輸入匹配網絡的第一端連接輸入節點，所述輸入匹配網絡的第二端連接所述功率放大器的第一端，所述功率放大器的第二端連接所述輸出匹配網絡的第一端，所述輸出匹配網絡的第二端連接輸出節點，所述功率放大器為采用硅鍺的多級級聯功率放大器或采用硅鍺的多級堆疊功率放大器。

2.根據權利要求1所述的功率放大電路，其特征在于，所述功率放大器為采用硅鍺的二級級聯功率放大器，所述多級級聯功率放大器包括第一晶體管單元和第二晶體管單元；

所述第一晶體管單元的控制極連接所述輸入匹配網絡的第二端和第一供電電源，所述第一晶體管單元的第一極接地，所述第一晶體管單元的第二極連接所述第二晶體管單元的控制極和第一電源，所述第二晶體管單元的控制極連接第二供電電源，所述第二晶體管單元的第一極接地，所述第二晶體管單元的第二極連接第一電源和輸出匹配網絡的第一端，所述第一晶體管單元與所述第二晶體管單元均為硅鍺的晶體管單元。

3.根據權利要求2所述的功率放大電路，其特征在于，所述二級級聯功率放大器還包括第一供電電感、第二供電電感、第一偏置電感、第二偏置電感、級間電感和級間電容；

所述第一供電電感的一端連接所述第一供電電源，所述第一供電電感的另一端連接所述第一晶體管單元的控制極；

所述第一偏置電感的一端連接第一電源，所述第一偏置電感的另一端連接所述第一晶體管單元的第二極；

所述第二供電電感的一端連接所述第二供電電源，所述第二供電電感的另一端連接所述第二晶體管單元的控制極；

所述第二偏置電感的一端連接第一電源，所述第二偏置電感的另一端連接所述第二晶體管單元的第二極；

所述級間電容的一端連接所述第一晶體管單元的第一極，所述級間電容的另一端連接所述級間電感的一端，所述級間電感的另一端連接所述第二晶體管單元的控制極。

4.根據權利要求1所述的功率放大電路，其特征在于，所述功率放大器為采用硅鍺的二級堆疊功率放大器，所述二級堆疊功率放大器包括第三晶體管單元和第四晶體管單元；

所述第三晶體管單元的控制極連接所述輸入匹配網絡的第二端和第三供電電源，所述第三晶體管單元的第一極接地，所述第三晶體管單元的第二極連接所述第四晶體管單元的第一極；

所述第四晶體管單元的控制極連接第四供電電源，所述第四晶體管單元的第二極連接第二電源和所述輸出匹配網絡的第一端；

所述第三晶體管單元與所述第四晶體管單元均為硅鍺的晶體管單元。

5.根據權利要求4所述的功率放大電路，其特征在于，所述二級堆疊功率放大器還包括第三供電電感、第四供電電感、第三偏置電感和第一供電電容；

所述第三供電電感的一端連接所述第三供電電源，所述第三供電電感的另一端連接所述第三晶體管單元的控制極；

所述第四供電電感的一端連接所述第四供電電源，所述第四供電電感的另一端連接所述第四晶體管單元的控制極；

所述第三偏置電感的一端連接第二電源，所述第三偏置電感的另一端連接所述第四晶體管單元的第二極；

所述第一供電電容的一端連接所述第四晶體管單元的控制極，所述第一供電電容的另一端接地。

6.根據權利要求1所述的功率放大電路，其特征在于，所述功率放大器為采用硅鍺的三級堆疊功率放大器，所述三級堆疊功率放大器包括第五晶體管單元、第六晶體管單元和第七晶體管單元；

所述第五晶體管單元的控制極連接所述輸入匹配網絡的第二端和第五供電電源，所述第五晶體管單元的第一極接地，所述第五晶體管單元的第二極連接所述第六晶體管單元的第一極；

所述第六晶體管單元的控制極連接第六供電電源，所述第六晶體管單元的第二極連接所述第七晶體管單元的第一極；

所述第七晶體管單元的控制極連接第七供電電源，所述第七晶體管單元的第二極連接第三電源和所述輸出匹配網絡的第一端；

所述第五晶體管單元、所述第六晶體管單元與所述第七晶體管單元均為硅鍺的晶體管單元。