[發明專利]具有基板孔的顯示設備在審
| 申請號: | 202011439389.1 | 申請日: | 2020-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN113130555A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 秋東日;金珉朱;李宰源;樸相勳;元晌奕;陸昇炫;李宣熹 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 基板孔 顯示 設備 | ||
公開一種具有基板孔的顯示設備,包括:基板,包括具有基板孔的滲透區和圍繞滲透區的隔離區;第一緩沖層,包括位于基板上的第一緩沖下層和位于第一緩沖下層上的第一緩沖上層;第一薄膜晶體管,位于第一緩沖上層上并且包括包含多晶硅的第一半導體圖案、第一柵極、連接至第一半導體圖案的第一源極和第一漏極,在第一柵極和第一半導體圖案之間插入第一柵極絕緣膜的條件下第一柵極與第一半導體圖案交疊;第二薄膜晶體管;及設置在基板的隔離區中的隔離結構,包括:第一隔離層,與第一緩沖上層具有相同的堆疊結構;第二隔離層,與第一柵極絕緣膜具有相同的堆疊結構;以及第三隔離層,與第一柵極具有相同的堆疊結構。
本申請要求享有2019年12月31日提交的韓國專利申請No.10-2019-0180056的優先權,通過引用將該專利申請并入本申請,如同在本申請中被完全描述一樣。
技術領域
本發明涉及一種具有穿透基板的基板孔的顯示設備。
背景技術
通常,諸如監視器、電視(TV)、筆記本電腦或數碼相機之類的電器包括用于實現圖像的顯示設備。例如,顯示設備可包括發光元件。每個發光元件可發射用于顯示具體顏色的光。例如,每個發光元件可包括設置在第一電極和第二電極之間的發光層。
諸如相機、揚聲器或傳感器之類的外圍設備可安裝在顯示設備中。例如,顯示設備可包括穿透用于支撐發光元件的基板的基板孔。基板孔可設置在發光元件之間。外圍設備可插入到基板孔中。
但是,在顯示設備中,外部濕氣可經由基板孔滲透。經由基板滲透的外部濕氣可經由發光層移動到與基板孔相鄰的發光元件。因此,在顯示設備中,與基板孔相鄰設置的發光元件可由于經由基板孔滲透的外部濕氣而損壞。
發明內容
因此,本發明旨在提出一種基本上避免了由于相關技術的限制和缺點導致的一個或多個問題的顯示設備。
本發明的一個目的是提供一種顯示設備,能夠防止由于經由基板孔滲透的外部濕氣而導致的發光元件的損壞。
本發明的另一個目的是提供一種顯示設備,能夠簡化用于阻擋外部濕氣的工藝。
本發明的附加優點、目的和特征的一部分將在下面的描述中闡述,一部分對于所屬領域普通技術人員來說在查閱以下內容后將變得顯而易見,或者可從本發明的實踐而習得。本發明的目的和其他優點可通過書面描述和權利要求書以及附圖中具體指出的結構實現及獲得。
為了實現這些目的和其他優點且根據本發明的意圖,如在此具體化和廣義描述的,提供了一種顯示設備,包括:基板,所述基板包括具有基板孔的滲透區和圍繞所述滲透區的隔離區;第一緩沖層,所述第一緩沖層包括位于所述基板上的第一緩沖下層和位于所述第一緩沖下層上的第一緩沖上層;第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管位于所述第一緩沖上層上并且包括第一半導體圖案、第一柵極、第一源極和第一漏極,其中所述第一半導體圖案包含多晶硅,其中在所述第一柵極和所述第一半導體圖案之間插入第一柵極絕緣膜的條件下,所述第一柵極與所述第一半導體圖案交疊,其中所述第一源極和所述第一漏極連接至所述第一半導體圖案;第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管包括第二半導體圖案、第二柵極、第二源極和第二漏極,其中所述第二半導體圖案包括氧化物半導體,其中在所述第二柵極和所述第二半導體圖案之間插入第二柵極絕緣膜的條件下,所述第二柵極與所述第二半導體圖案交疊,其中所述第二源極和所述第二漏極連接至所述第二半導體圖案;以及設置在所述基板的隔離區中的隔離結構,所述隔離結構包括:第一隔離層,所述第一隔離層與所述第一緩沖上層具有相同的堆疊結構;第二隔離層,所述第二隔離層與所述第一柵極絕緣膜具有相同的堆疊結構;以及第三隔離層,所述第三隔離層與所述第一柵極具有相同的堆疊結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





