[發(fā)明專利]硅氧鋰顆粒及其制備方法、負(fù)極材料、極片和電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011438904.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112687852B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李喆;張和寶;羅姝;查道松;王岑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安普瑞斯(南京)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01M4/36 | 分類(lèi)號(hào): | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 謝清萍;冷文燕 |
| 地址: | 210006 江蘇省南京市雨花臺(tái)區(qū)鳳*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅氧鋰 顆粒 及其 制備 方法 負(fù)極 材料 電池 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N具有核殼結(jié)構(gòu)的硅氧鋰顆粒,包括:內(nèi)核顆粒,包含硅酸鋰系化合物基質(zhì)和單質(zhì)硅納米顆粒,所述內(nèi)核顆粒中各元素含量摩爾比如下:鋰元素/硅元素為X,氧元素/硅元素為Y,0.1≤X<2,0.5≤Y≤1.5;碳化硅殼層,包覆所述內(nèi)核顆粒;導(dǎo)電碳層,包覆所述碳化硅殼層。該種硅氧鋰顆粒具有良好耐水性、低膨脹率、循環(huán)壽命長(zhǎng)、庫(kù)倫效率高等特點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及電池領(lǐng)域,具體涉及具有核殼結(jié)構(gòu)的硅氧鋰顆粒及其制備方法、負(fù)極材料、極片和電池
背景技術(shù)
由于近年來(lái)各種便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)以及儲(chǔ)能系統(tǒng)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,對(duì)于能量密度高、循環(huán)壽命長(zhǎng)的鋰離子電池的需求日益迫切。目前商業(yè)化的鋰離子電池的負(fù)極材料主要為石墨,但由于理論容量低,限制了鋰離子電池能量密度的進(jìn)一步提高。由于硅負(fù)極材料具有其它負(fù)極材料無(wú)法匹敵的高容量?jī)?yōu)勢(shì),近些年來(lái)成為了研發(fā)熱點(diǎn),并逐漸從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)走向商業(yè)應(yīng)用。其中,單質(zhì)硅負(fù)極材料在嵌脫鋰過(guò)程中存在嚴(yán)重的體積效應(yīng),體積變化率約為300%,會(huì)造成電極材料粉化以及電極材料與集流體分離。另外,由于硅負(fù)極材料在電池充放電過(guò)程中不斷地膨脹收縮而持續(xù)破裂,產(chǎn)成的新鮮界面暴露于電解液中會(huì)形成新的SEI膜,從而持續(xù)消耗電解液,降低了電極材料的循環(huán)性能。硅氧化合物理論容量約為1700mAh/g,雖然其容量低于單質(zhì)硅負(fù)極材料,但其膨脹率和循環(huán)穩(wěn)定性均有明顯優(yōu)勢(shì),相比單質(zhì)硅來(lái)說(shuō)更易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化應(yīng)用。然而,硅氧化合物在鋰離子電池中的首次充電時(shí)生成硅酸鋰和氧化鋰等物質(zhì),放電時(shí)該物質(zhì)中的鋰離子無(wú)法脫出,導(dǎo)致電池的首次庫(kù)倫效率較低(理論效率約為70%),從而限制了全電池能量密度的提升。
背景技術(shù)部分的內(nèi)容僅僅是公開(kāi)人所知曉的技術(shù),并不代表本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N具有核殼結(jié)構(gòu)的硅氧鋰顆粒,該種硅氧鋰顆粒具有良好耐水性、低膨脹率、循環(huán)壽命長(zhǎng)、庫(kù)倫效率高等特點(diǎn)。
根據(jù)本申請(qǐng)一個(gè)方面,本申請(qǐng)所提供的硅氧鋰顆粒包括:內(nèi)核顆粒,包含硅酸鋰系化合物基質(zhì)和單質(zhì)硅納米顆粒,所述內(nèi)核顆粒中各元素含量摩爾比如下:鋰元素/硅元素為X,氧元素/硅元素為Y,0.1≤X<2,0.5≤Y≤1.5;碳化硅殼層,包覆所述內(nèi)核顆粒;導(dǎo)電碳層,包覆所述碳化硅殼層。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述單質(zhì)硅納米顆粒中值粒徑為0.1~25納米,優(yōu)選為0.3~15納米。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述硅氧鋰顆粒中值粒徑為0.05~20微米,優(yōu)選為0.3~15微米。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述硅氧鋰顆粒粒徑跨度值(SPAN=(D90-D10)/D50)≤2.0,優(yōu)選為≤1.5,更為優(yōu)選為≤1.3。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述碳化硅殼層厚度為1~200納米,優(yōu)選為8~100納米。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述導(dǎo)電碳層厚度為1~2000納米,優(yōu)選為3~500納米,更優(yōu)選為5~200納米。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述導(dǎo)電碳層占所述硅氧鋰顆粒質(zhì)量的0.1~15%,優(yōu)選為0.5~10%,更優(yōu)選為1~5%。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述硅氧鋰顆粒的比表面積為0.1~20m2/g,優(yōu)選為0.8~10m2/g,更優(yōu)選為1~7m2/g。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述振實(shí)密度≥0.4g/cm3,優(yōu)選≥0.7g/cm3。
根據(jù)本申請(qǐng)另一方面,還提供一種硅氧鋰顆粒的制備方法,包括以下步驟:準(zhǔn)備硅氧顆粒;對(duì)所述硅氧顆粒進(jìn)行表面處理;形成碳化硅層及導(dǎo)電碳層,對(duì)所述硅氧顆粒進(jìn)行碳包覆、打散處理;進(jìn)行嵌鋰處理,對(duì)所述具有碳化硅層和導(dǎo)電碳層的硅氧顆粒進(jìn)行嵌鋰處理。
根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例,所述對(duì)硅氧顆粒進(jìn)行表面處理,包括:氣相處理或液相處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安普瑞斯(南京)有限公司,未經(jīng)安普瑞斯(南京)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011438904.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





