[發明專利]一種片式電阻用銀漿有效
| 申請號: | 202011438058.6 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN112635096B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 邱基華 | 申請(專利權)人: | 潮州三環(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B1/16 | 分類號: | H01B1/16;H01B1/22;H01C1/142;H01C7/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 顏希文 |
| 地址: | 515646 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電阻 用銀漿 | ||
本發明提供了一種片式電阻用銀漿,屬于導電漿料領域。本發明片式電阻用銀漿包含以下重量百分含量的組分:銀粉50%~70%,玻璃3%~10%,觸變劑1%~3%,樹脂2%~6%,極性有機溶劑19%~38%;其中,銀粉在850℃下的燒結收縮率為10%~30%,玻璃的軟化點為500℃~700℃,觸變劑包括無機觸變劑和有機觸變劑。本發明通過采用使銀漿印刷時具有良好流動性且靜置時具有高粘度特性的觸變劑體系、收縮率低的銀粉體系和軟化點高的玻璃體系,以在不增加正面電極厚度的情況下,解決正面電極在橫向分割V槽處的下陷斷裂的問題。
技術領域
本發明屬于導電漿料領域,具體涉及一種片式電阻用銀漿。
背景技術
隨著新材料、新工藝和新的科學技術的飛速發展,電子整機和表面組裝技術也得到了迅速的發展,微電子元器件也越來越接近于人們的日常生活。片式電阻作為微電子元器件中不可或缺的組成部分,因具有體積小、重量輕、安裝密度高、等優點被廣泛應用于計算機、手機、醫療電子產品等領域。片式電阻包括:陶瓷基板、形成于陶瓷基板上表面的長度方向上兩端的兩個正面電極、形成于陶瓷基板上表面并連接兩個正面電極的電阻層,以及其它部分;其中正面電極一般采用銀漿料制備,銀漿料的主要成分包括:導電相銀粉、無機粘結相以及有機載體三個部分。
片式電阻的制備通常采用先在大面積基板上進行加工,形成陣列排布的多個片式電阻,然后通過分割V槽進行分片得到單個片式電阻。其中,分割V槽包括沿著單個片式電阻長度方向的縱向分割V槽和沿著單個片式電阻寬度方向的橫向分割V槽。在大面積基板上進行加工的過程包括了正面電極的制備,電阻層的制備,以及電阻層的校對調阻等等;其中,期望正面電極橫跨并覆蓋橫向分割V槽,使得相鄰兩個片式電阻的正面電極相互連接,因此在對每個片式電阻的校對調阻過程中,探針可抵接的電極面積可增大一倍,從而極大降低了探針的精度要求。而采用傳統的銀漿料制備正面電極時,即使在印刷工序使銀漿料橫跨并覆蓋橫向分割V槽,但在校對調阻工序時常常發現橫向分割V槽處的電極下陷并斷裂,使得相鄰兩個片式電阻的正面電極無法相互連接,從而導致探針可抵接的電極面積沒有增加,提高了對探針的精度要求,極大的降低了調阻良率。
正面電極在橫向分割V槽處下陷的原因在于:(1)從印刷完正面電極到校對調阻之間,還包括了正面電極流平工序和燒結工序,一方面,由于傳統的銀漿料的靜態粘度小,在正面電極流平工序過程中銀漿料容易沿著橫向分割V槽流動,導致V槽處的正面電極下陷;另一方面,由于銀漿料中的玻璃組分軟化點低,高溫粘度低,導致高溫燒結工序中銀漿料流動性增強,進一步使V槽處的正面電極下陷,(2)由于銀粉的體積收縮率高,燒結之后正面電極的體積收縮大,極易在橫向分割V槽處產生斷裂。雖然可以通過增加正面電極的印刷厚度來一定程度上緩解上述問題,但是增加了正面電極的印刷厚度會極大地增加生產成本。
因此,有必要開發一種在不增加正面電極厚度的情況下,解決正面電極在橫向分割V槽處的下陷問題的技術。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術存在的不足之處而提供一種片式電阻用銀漿,以在不增加正面電極厚度的情況下,解決正面電極在橫向分割V槽處的下陷斷裂的問題,避免生產成本的增加。
為實現上述目的,本發明提供了一種片式電阻用銀漿,包含以下重量百分含量的組分:銀粉50%~70%,玻璃3%~10%,觸變劑1%~3%,樹脂2%~6%,極性有機溶劑19%~38%;其中,所述銀粉在850℃下的燒結收縮率為10%~30%,所述玻璃的軟化點為500℃~700℃,所述觸變劑包括無機觸變劑和有機觸變劑。
上述銀漿采用收縮率低的銀粉體系和軟化點高的玻璃體系來解決銀漿燒結造成的正面電極在橫向分割V槽處的下陷斷裂的問題;同時采用使銀漿印刷時具有良好流動性且靜置時具有高粘度特性的觸變劑體系來防止印刷流平時銀漿沿著橫向分割V槽流動,從而避免正面電極在橫向分割V槽處的下陷斷裂的問題。
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