[發明專利]集成電路裝置

在審

• 申請號: 202011437524.9
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN113078151A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 莫如娜·阿比里杰斯·柯德博;方子韋;林耕竹;曹學文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種集成電路裝置，包括：

一半導體基板；

多個第一半導體層，在具有一半導體材料的上述半導體基板上方；

一第一柵極介電層，圓周地圍繞上述第一半導體層的一第一層；

一第一柵極電極，包括一功函數金屬層和一第一填充金屬層，上述功函數金屬層具有圓周地圍繞上述第一柵極介電層的一第一導電材料，并且上述第一填充金屬層具有圍繞上述功函數金屬層的一第二導電材料；

多個第二半導體層，在具有上述半導體材料的上述半導體基板上方；

一第二柵極介電層，圓周地圍繞上述第二半導體層的一第二層；以及

一第二柵極電極，包括一第二填充金屬層，上述第二填充金屬層具有圍繞并直接接觸上述第二柵極介電層的上述第二導電材料，上述第二填充金屬層的一頂表面在上述第二半導體層的一最頂層上方延伸；

其中上第一導電材料的一功函數低于上述半導體材料的一中間能隙，并且上述第二導電材料的一功函數高于上述半導體材料的上述中間能隙。