[發明專利]一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法

在審

• 申請號: 202011437312.0
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112452686A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 趙強;胡孫日
• 申請（專利權）人: 安徽威能電源科技有限公司
• 主分類號: B05D5/12
• 分類號: B05D5/12;B05D3/04;B05D3/14;C09D163/00;C09D193/02;C09D5/24;C09D7/61;C09D7/65
• 代理公司: 合肥廣源知識產權代理事務所(普通合伙) 34129
• 代理人: 汪綱

1.一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）深冷處理：

將電子元器件浸入液氮中進行深冷處理，處理20~30min后取出保存于低溫環境中備用；

（2）電暈處理：

將步驟（1）中深冷處理后的電子元器件放入電暈放電儀中進行電暈處理，電暈處理30~40s后取出備用；

（3）低溫等離子體處理：

將步驟（2）中電暈處理后的電子元器件置于RF冷等離子體處理設備中，處理5~10min后取出電子元器件備用；

（4）涂覆處理：

將特制的抗靜電涂料均勻的涂覆到步驟（3）中低溫等離子體處理后的電子元器件的表面，完成后自然風干后備用。

2.根據權利要求1所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟（1）中所述的低溫環境為溫度為-4~4℃的環境。

3.根據權利要求1所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟（2）中所述的電暈處理時控制處理電壓為10~20kV，電暈放電儀的輸出功率為30~40kW。

4.根據權利要求1所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟（3）中所述的冷等離子體處理時控制真空度為40~50Pa，氣體流量為3~4L/min，處理功率為100~200W，溫度為0~4℃。

5.根據權利要求1所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟（4）中所述的特制的抗靜電涂料中各成分及對應重量百分比為：環氧樹脂56~64%、蟲膠5~7%、石墨烯-生物質原料復合材料8.5~9.5%、硅油1.2~1.8%、丙二醇甲醚醋酸酯0.55~0.65%、聚二甲基硅氧烷0.82~0.88%，余量為水。

6.根據權利要求5所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，所述的石墨烯-生物質原料復合材料的制備，包括如下步驟：

S1. 將石墨烯、二環己基碳二亞胺和硅烷偶聯劑按照重量比為1:8.5~9.5:22~28混勻后注入燒瓶中，然后將燒瓶置于水浴鍋內進行恒溫反應，82~88℃處理5~7h后，5500~6500rpm高速離心14~16min后得沉淀備用；

S2. 用鋁箔紙將步驟S1中處理后的石墨烯進行單層包裹后置于Nd:YAG激光器內進行激光沖擊處理，完成后取出備用；

S3.將生物質原料置于深冷式粉碎機內進行粉碎處理，控制深冷式粉碎機內的溫度為-28~-22℃，粉碎后過70~90目篩得生物質粉末A備用；

S4. 將S3中所得的生物質粉末A浸入處理液A中，然后將浸有生物質粉末的處理液A置于微波環境中，進行微波-磁場耦合處理，完成后抽濾，烘干得生物質粉末B備用；

S5. 將處理液B用氨水調節pH至7.9~8.3后倒入電解槽內，然后將步驟S2處理后的石墨烯和步驟S4所得的生物質粉末B按照重量比為1:62~68共同投入到電解槽內，攪拌混勻后接通電源進行加熱電離處理，控制加載電壓為190~210V，電流為5.5~6.5A，溫度為65~75℃，完成后過濾，純水沖洗3~5次后，烘干即得石墨烯-生物質原料復合材料。

7.根據權利要求6所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟S2中所述的激光沖擊處理時激光器的波長為2.2~2.8μm，脈沖寬度為32~38ns，激光沖擊功率密度為3.2~3.8GW/cm²，能量為17~19J。

8.根據權利要求6所述一種改善電子元器件抗靜電性能的表面處理方法，其特征在于，步驟S4中所述的處理液A中各成分及對應重量百分比為：乙二胺1.2~1.8%、氫氧化鈉0.75~0.85%、高錳酸鉀0.45~0.55%、吐溫60 7~8%，余量為純水。