[發(fā)明專利]陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011437129.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN112596313A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭釗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1345
• 分類號(hào): G02F1/1345;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

一種陣列基板，其上定義有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周側(cè)的OLB區(qū)域，所述陣列基板包括襯底、設(shè)置于所述襯底層上的連接線層、保形覆蓋于所述連接線層上的鈍化層，以及設(shè)置于所述鈍化層上且覆蓋所述鈍化層的有機(jī)平坦層，所述連接線層位于所述OLB區(qū)域，所述連接線層包括多個(gè)凹槽或多個(gè)凸起，所述鈍化層和所述有機(jī)平坦層覆蓋所述凹槽或所述凸起。通過將OLB區(qū)域的連接線層設(shè)置為具有凸起或凹槽的形狀，鈍化層保形覆蓋于連接線路層上，能夠增大后續(xù)形成的有機(jī)平坦層與鈍化層之間的接觸面積，進(jìn)而增大有機(jī)平坦層與鈍化層之間的粘附力，能夠有效地改善OLB區(qū)域的有機(jī)平坦層發(fā)生的剝落現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板。

背景技術(shù)

相對(duì)彩膜基板的尺寸，一般陣列基板的尺寸會(huì)設(shè)置地較大，陣列基板的邊緣到彩膜基板的邊緣多出的部分稱為OLB(Outer Lead Bonding，外引線接合)區(qū)域，OLB工藝是液晶盒與外部電路連通的重要電氣壓接工藝。這個(gè)工藝把驅(qū)動(dòng)液晶屏的IC的一端與液晶盒上的連接電極壓接在一起，另一端與印刷電路板上的引線壓接在一起。

OLB區(qū)域存在許多連接線路，對(duì)于現(xiàn)有的PFA(polymer film onarray，陣列基板上的有機(jī)膜)產(chǎn)品來說，OLB區(qū)域的連接線路通常由陣列基板上的金屬層經(jīng)圖案化形成，后續(xù)形成鈍化層，鈍化層成膜后經(jīng)圖案化開出小孔，最后像素電極通過該小孔與連接線路搭接，起到信號(hào)傳輸?shù)淖饔谩?/p>

目前，在OLB區(qū)域，PFA層與鈍化層直接接觸，由于PFA層與鈍化層的膜質(zhì)不同，且接觸面積較小，導(dǎo)致PFA層與鈍化層之間的粘附力較差，進(jìn)而導(dǎo)致PFA層易發(fā)生剝落，致使信號(hào)串接，導(dǎo)致線路連接的可靠性下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，以解決現(xiàn)有的陣列基板的OLB區(qū)域的PFA層直接與鈍化層接觸，由于PFA層與鈍化層的膜質(zhì)不同，且接觸面積較小，導(dǎo)致PFA與鈍化層之間的粘附力較差，進(jìn)而導(dǎo)致PFA易發(fā)生剝落，致使信號(hào)串接，導(dǎo)致線路連接的可靠性下降的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，其上定義有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周側(cè)的OLB區(qū)域，所述陣列基板包括襯底、設(shè)置于所述襯底層上的連接線層、保形覆蓋于所述連接線層上的鈍化層，以及設(shè)置于所述鈍化層上且覆蓋所述鈍化層的有機(jī)平坦層，所述連接線層位于所述OLB區(qū)域。其中，所述連接線層包括多個(gè)凹槽或多個(gè)凸起，所述鈍化層和所述有機(jī)平坦層覆蓋所述凹槽或所述凸起。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述連接線層包括多條連接線。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，每一條所述連接線沿其延伸方向上間隔設(shè)置有多個(gè)所述凹槽。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，每一條所述連接線沿其延伸方向上間隔設(shè)置有多個(gè)所述凸起。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，多條所述連接線為公共走線、綁定引線、以及短路棒中的至少一種。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述鈍化層上開設(shè)有露出所述連接線層的部分表面的至少一第一過孔，所述有機(jī)平坦層上開設(shè)有與所述第一過孔對(duì)應(yīng)的第二過孔，所述第一過孔與其對(duì)應(yīng)的所述第二過孔連通。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述陣列基板還包括設(shè)置于所述有機(jī)平坦層上的像素電極，所述像素電極依次穿過所述第二過孔和所述第一過孔與所述連接線層連接。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)所述第一過孔之間設(shè)置有一所述凹槽或者一所述凸起。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述凹槽的深度或者所述凸起的高度不小于所述鈍化層的厚度。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述連接線層還包括連接線層本體，所述凹槽的深度為所述連接線層本體的最大厚度的30％～50％。