[發(fā)明專利]基于深度學(xué)習(xí)的布局后布線違例預(yù)測(cè)方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011437109.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112233115B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊沁春;張曦;李楠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安國(guó)微半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06T7/00 | 分類號(hào): | G06T7/00 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 閆家偉 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 深度 學(xué)習(xí) 布局 布線 違例 預(yù)測(cè) 方法 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于深度學(xué)習(xí)的布局后布線違例預(yù)測(cè)方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),包括:按照預(yù)設(shè)窗口對(duì)第一版圖信息進(jìn)行分割,以得到每個(gè)預(yù)設(shè)窗口對(duì)應(yīng)的第一特征信息;根據(jù)第一特征信息得到每個(gè)第一特征信息對(duì)應(yīng)的第一特征圖像;根據(jù)同一預(yù)設(shè)窗口對(duì)應(yīng)的所有第一特征圖像得到第一五維張量圖像;根據(jù)預(yù)設(shè)窗口得到對(duì)應(yīng)的第一設(shè)計(jì)規(guī)則違反圖像;得到訓(xùn)練完的第一網(wǎng)絡(luò)模型;基于訓(xùn)練完的第一網(wǎng)絡(luò)模型,得到第一訓(xùn)練模型;得到第二訓(xùn)練模型;得到最終訓(xùn)練模型;將待預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)輸入至最終訓(xùn)練模型得到預(yù)測(cè)結(jié)果。本發(fā)明在設(shè)計(jì)規(guī)則違反非常多的情況下可以及時(shí)的調(diào)整布局,可以指導(dǎo)布局優(yōu)化,減少布線后的設(shè)計(jì)規(guī)則違反,優(yōu)化布局布線流程。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于深度學(xué)習(xí)的布局后布線違例預(yù)測(cè)方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
21世紀(jì)以來(lái),微電子領(lǐng)域技術(shù)不斷發(fā)展,集成電路正在不斷地向超大規(guī)模、極低功耗和超高速的方向發(fā)展。芯片特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了7納米級(jí)并且還在不斷的縮小。特征尺寸的下降使集成電路中的各種寄生效應(yīng)越來(lái)越多,隨著集成電路性能要求的提高,提出了更多的約束條件和設(shè)計(jì)規(guī)則,在完成布局后需要進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Design Rule Check)。
單位面積上更高的集成度,復(fù)雜的設(shè)計(jì)流程以及較長(zhǎng)的設(shè)計(jì)周期,也對(duì)輔助設(shè)計(jì)軟件提出了更高的要求,例如優(yōu)化設(shè)計(jì)流程,提高設(shè)計(jì)效率以縮短設(shè)計(jì)時(shí)間,減少后續(xù)人工的修改工作量等。在更高的工藝節(jié)點(diǎn)下,根據(jù)全局布線的結(jié)果去指導(dǎo)詳細(xì)布線出現(xiàn)的違規(guī)越來(lái)越多,需要手動(dòng)修復(fù)DRV(設(shè)計(jì)規(guī)則檢查的違反,Design Rule Violation),在違規(guī)嚴(yán)重的情況下甚至需要返回布局階段修改,耗費(fèi)大量的時(shí)間。
目前針對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則違法預(yù)測(cè)這一相關(guān)技術(shù),大部分都是使用文本數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)測(cè),使用支持向量機(jī)(Support Vector machines,SVM)、所屬類別多元自適應(yīng)回歸樣條(multivariate adaptive regression splines,MARS)、卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ConvolutionalNeural Nets,CNN)等模型,將布局后的數(shù)據(jù)或全局布線后的數(shù)據(jù)特征作為輸入,輸出可布線性或者違規(guī)預(yù)測(cè),預(yù)測(cè)單位是整個(gè)版圖設(shè)計(jì)或者較少的布線網(wǎng)格(gcell)窗口。
但是,目前的預(yù)測(cè)方法只能對(duì)違規(guī)進(jìn)行預(yù)測(cè),不能預(yù)測(cè)違規(guī)的詳細(xì)位置,不能對(duì)違規(guī)進(jìn)行精確的預(yù)測(cè)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種基于深度學(xué)習(xí)的布局后布線違例預(yù)測(cè)方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種基于深度學(xué)習(xí)的布局后布線違例預(yù)測(cè)方法,包括:
按照預(yù)設(shè)窗口對(duì)第一版圖信息進(jìn)行分割,以得到每個(gè)所述預(yù)設(shè)窗口對(duì)應(yīng)的第一特征信息,所述第一特征信息包括擁塞、矩形線密度、宏模塊和引腳密度;
根據(jù)所述第一特征信息得到每個(gè)所述第一特征信息對(duì)應(yīng)的第一特征圖像,所述第一特征圖像包括第一擁塞圖像、第一矩形線密度圖像、第一宏模塊圖像和第一引腳密度圖像;
根據(jù)同一所述預(yù)設(shè)窗口對(duì)應(yīng)的所有所述第一特征圖像得到第一五維張量圖像;
根據(jù)所述預(yù)設(shè)窗口得到對(duì)應(yīng)的第一設(shè)計(jì)規(guī)則違反圖像;
將n1個(gè)所述第一五維張量圖像和m1個(gè)所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則違反圖像輸入至第一網(wǎng)絡(luò)模型得到訓(xùn)練完的第一網(wǎng)絡(luò)模型,其中,所述第一網(wǎng)絡(luò)模型為由將全卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型最后的全連接層修改為反卷積層得到;
基于訓(xùn)練完的第一網(wǎng)絡(luò)模型,在第一層至第五層中的至少一層池化層后添加反卷積層,并將n1個(gè)所述第一五維張量圖像和m1個(gè)所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則違反圖像輸入至修改后的第一網(wǎng)絡(luò)模型,以得到第一訓(xùn)練模型;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安國(guó)微半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)西安國(guó)微半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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