[發明專利]一種金剛線切割多晶硅片的制絨方法、制絨硅片及太陽能電池片在審
| 申請號: | 202011436401.3 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN114628539A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 滕美玲;陸先林;王楠;金婷婷;劉鑫 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 518118 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金剛 切割 多晶 硅片 方法 太陽能電池 | ||
1.一種金剛線切割多晶硅片的制絨方法,其特征在于,包括以下步驟:
對金剛線切割多晶硅片進行堿拋處理,之后在其表面形成二氧化硅膜層;
將帶所述二氧化硅膜層的金剛線切割多晶硅片進行酸制絨,得到制絨硅片。
2.如權利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述二氧化硅膜層的厚度為2-50nm。
3.如權利要求2所述的制絨方法,其特征在于,所述二氧化硅膜層的厚度為10-40nm。
4.如權利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述二氧化硅膜層的形成方式包括以下中的一種:
在600-850℃下,于含氧氣的干燥氣氛下進行干氧熱氧化;或者
在600-850℃下,于含氧氣和水蒸氣的濕氧氣氛下進行濕氧熱氧化;或者
在臭氧氣氛下或在臭氧水中進行臭氧氧化。
5.如權利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述堿拋處理使用的是濃度為7wt%-11wt%的強堿溶液,所述堿拋處理的溫度為65-85℃,處理時間為150s-240s。
6.如權利要求1所述的制絨方法,其特征在于,在所述堿拋處理之后,還包括酸清洗處理,所述酸清洗處理采用稀HF溶液,或者HF和鹽酸的混合溶液。
7.如權利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述酸制絨采用的制絨液為包括硝酸、氫氟酸的混合水溶液。
8.一種制絨硅片,其特征在于,所述制絨硅片是根據權利要求1-7任一項所述的制絨方法制備得到。
9.一種太陽能電池片,其特征在于,通過權利要求1-7任一項所述的制絨硅片制備得到。
10.如權利要求1所述的太陽能電池片,其特征在于,對所述制絨硅片依次進行擴散、去邊、去背面PN結及正面去磷硅玻璃、沉積減反射膜、印刷電極、高溫燒結得到。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





