[發(fā)明專利]疊孔電路板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011436145.8 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN112739016B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許校彬;陳金星;彭濤 | 申請(專利權(quán))人: | 惠州市特創(chuàng)電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K1/02 |
| 代理公司: | 惠州知儂專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44694 | 代理人: | 劉羽 |
| 地址: | 516300 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路板 及其 制備 方法 | ||
本申請?zhí)峁┮环N疊孔電路板及其制備方法。上述的疊孔電路板的制備方法包括以下步驟:對內(nèi)層電路板板材進(jìn)行鉆孔操作,并對鉆孔進(jìn)行沉銅處理,沉銅后進(jìn)行第一次電暈處理操作,得到待塞孔內(nèi)層電路板;對待塞孔內(nèi)層電路板進(jìn)行樹脂塞孔操作,將線路嵌入樹脂中,得到樹脂塞孔層電路板;對外層電路板板材進(jìn)行控深孔操作,得到待填充盲孔;對待填充盲孔進(jìn)行除膠處理操作,完成除膠后進(jìn)行填銅漿操作,將線路嵌入銅漿中,得到盲孔層電路板;對樹脂塞孔層電路板的表面進(jìn)行第二次電暈處理操作,得到待壓合電路板;將盲孔層電路板與待壓合電路板進(jìn)行壓合操作,得到疊孔電路板。上述疊孔電路板的制備方法能夠增強(qiáng)疊孔之間結(jié)合力、提升對電鍍蓋帽保護(hù)作用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及印刷電路板制作技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種疊孔電路板及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著3G、智能手機(jī)和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,推動PCB技術(shù)不斷向更高布線密度方向發(fā)展,同時也要求PCB設(shè)計具有小型化、輕薄化和高可靠性等。因此,傳統(tǒng)的盲孔設(shè)計,如交錯孔、跨層等已無法滿足要求,其局限性主要表現(xiàn)在空間節(jié)約、制作難度和可靠性等方面,唯有疊孔設(shè)計可滿足要求。而樹脂塞孔法是實現(xiàn)盲孔與盲孔互連的常用方法,同時使用樹脂將內(nèi)層HDI的埋孔塞住,然后再進(jìn)行壓合。這種工藝平衡了壓合的介質(zhì)層厚度控制與內(nèi)層HDI埋孔填膠設(shè)計之間的矛盾。
但是,在疊孔過程中,盲孔與通孔壓合處的位置由于樹脂和銅的結(jié)合力不足,很容易爆板,產(chǎn)生分離問題。此外,樹脂塞孔能夠?qū)﹄娐钒逋灼鸬奖Wo(hù)作用,避免在電路板壓合過程中通孔處出現(xiàn)變形和孔銅壁斷裂等問題,但在塞孔或疊孔過程中有機(jī)物的殘留,容易造成樹脂塞孔后電鍍蓋帽分離,從而使疊孔電路板出現(xiàn)阻值異常問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種能夠增強(qiáng)疊孔之間結(jié)合力、提升對電鍍蓋帽保護(hù)作用的疊孔電路板及其制備方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種疊孔電路板的制備方法,包括以下步驟:
對內(nèi)層電路板板材進(jìn)行鉆孔操作,并對所述鉆孔進(jìn)行沉銅處理,得到待塞樹脂孔;
對所述待塞樹脂孔進(jìn)行第一次電暈處理操作,得到待塞孔內(nèi)層電路板;
對所述待塞孔內(nèi)層電路板進(jìn)行樹脂塞孔操作,將線路嵌入所述樹脂中,得到樹脂塞孔層電路板;
對外層電路板板材進(jìn)行控深孔操作,得到待填充盲孔;
對所述待填充盲孔進(jìn)行除膠處理操作,得到待填充孔外層電路板;
對所述待填充孔外層電路板進(jìn)行填銅漿操作,將線路嵌入所述銅漿中,得到盲孔層電路板;
對所述樹脂塞孔層電路板的表面進(jìn)行第二次電暈處理操作,得到待壓合電路板;
將所述盲孔層電路板與所述待壓合電路板進(jìn)行壓合操作,得到所述疊孔電路板。
在其中一個實施例中,所述鉆孔操作包括鉆埋孔、通孔及定位孔。
在其中一個實施例中,在對內(nèi)層電路板板材進(jìn)行鉆孔操作,并對所述鉆孔進(jìn)行沉銅處理之前,還包括以下步驟:
對所述鉆孔進(jìn)行抗鍍干膜操作。
在其中一個實施例中,所述第一次電暈處理操作中的電壓為8000V~10000V。
在其中一個實施例中,所述第一次電暈處理操作中的電極間距為1mm~1.5mm。
在其中一個實施例中,所述第一次電暈處理操作中的放電功率為400W~600W。
在其中一個實施例中,所述第一次電暈處理操作中的線速度為1.0m/mim~2.0m/mim。
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