[發明專利]圖像傳感器以及用于形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請號: 202011433066.1
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN113838876A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 蔡敏瑛;李正德;朱瑞霖;李靜宜;喻中一
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

1.一種圖像傳感器，其特征在于包括：

襯底；

光電探測器，位于所述襯底中；

溝槽，位于所述襯底中，由所述襯底的側壁及上表面界定；

第一隔離層，延伸到所述溝槽中且在側向上環繞所述光電探測器，其中所述第一隔離層沿著所述襯底的界定所述溝槽的所述側壁及所述上表面延伸，且其中所述第一隔離層包含第一介電材料；

第二隔離層，位于所述第一隔離層之上，其中所述第二隔離層延伸到所述溝槽中且加襯于所述第一隔離層，且其中所述第二隔離層包含第二介電材料；以及

第三隔離層，位于所述第二隔離層之上，其中所述第三隔離層填充所述溝槽且加襯于所述第二隔離層，其中所述第三隔離層包含與所述第一介電材料及所述第二介電材料不同的第三材料，

其中所述第一隔離層的第一厚度對所述第二隔離層的第二厚度的比率是約0.17到0.38。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中沿著所述襯底與所述第一隔離層之間的界面排列有氫原子。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一隔離層直接接觸所述襯底的所述側壁及所述上表面，其中所述第二隔離層直接接觸所述第一隔離層，且其中所述第三隔離層直接接觸所述第二隔離層。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一介電材料由氧化鋁組成且所述第二介電材料由五氧化鉭組成。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一隔離層由氧化鋁及所述氧化鋁內的氫組成。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中層間介電層位于所述襯底的界定所述溝槽的所述側壁及所述上表面上，其中所述層間介電層將所述襯底與所述第一隔離層隔開，其中所述層間介電層包含與所述第一介電材料不同的第四介電材料，且其中所述第一隔離層加襯于所述層間介電層。

7.一種圖像傳感器，其特征在于包括：

襯底；

光電探測器，位于所述襯底中且沿著所述襯底的前側；

溝槽，位于所述襯底中，由所述襯底的側壁及上表面界定；

第一隔離層，沿著所述襯底的背側延伸且在側向上環繞所述光電探測器，其中所述第一隔離層由第一介電質組成，其中所述第一隔離層沿著所述襯底的界定所述溝槽的所述側壁及所述上表面延伸，且其中所述第一隔離層填充所述溝槽的第一部分；

第二隔離層，位于所述第一隔離層之上且在側向上環繞所述光電探測器，其中所述第二隔離層由與所述第一介電質不同的第二介電質組成，其中所述第二隔離層沿著所述溝槽延伸且位于所述第一隔離層的側壁及上表面上，且其中所述第二隔離層填充所述溝槽的第二部分；以及

第三隔離層，位于所述第二隔離層之上且在側向上環繞所述光電探測器，其中所述第三隔離層由與所述第一介電質及所述第二介電質不同的第三材料組成，其中所述第三隔離層沿著所述溝槽延伸且位于所述第二隔離層的側壁及上表面上，且其中所述第三隔離層填充所述溝槽的其余部分，

其中所述第一隔離層的第一密度小于所述第二隔離層的第二密度，且其中所述第一密度對所述第二密度的比率是約0.35到0.37。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中所述第一密度是約2.9g/cm³到3.05g/cm³。