[發(fā)明專利]一種提高芯片Al電極打線成功率的工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011432721.1 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112563128A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳旭;吳慶才 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 蘇州謹和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐靜芳 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 芯片 al 電極 成功率 工藝 方法 | ||
1.一種提高芯片Al電極打線成功率的工藝方法，其特征在于，所述工藝方法包括：
S1、提供磁控濺射設(shè)備，所述磁控濺射設(shè)備包括用以沉積Al的第一腔體和用以沉積Ti和TiN的第二腔體，啟動所述磁控濺射設(shè)備沉積TiN，所述第二腔體內(nèi)留存用以形成TiN的氮氣且Ti靶材表面會殘留一層TiN薄膜；
S2、提供芯片，使用所述磁控濺射設(shè)備在所述芯片上依次沉積Al層、Ti層和TiN層，在所述芯片上沉積得到Al/TiN/Ti/TiN層；
S3、對沉積所述Al/TiN/Ti/TiN層的芯片進行退火處理；
S4、在所述Al/TiN/Ti/TiN層上沉積鈍化層；
S5、刻蝕所述鈍化層和TiN/Ti/TiN層，得到具有麻點Al電極的芯片；
S6、重復(fù)所述步驟S2至所述步驟S5，批量生產(chǎn)具有麻點Al電極的芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的提高芯片Al電極打線成功率的工藝方法，其特征在于，在所述Al電極上打線封裝后得到器件。
3.如權(quán)利要求1所述的提高芯片Al電極打線成功率的工藝方法，其特征在于，所述鈍化層由氮化硅、氮氧化硅或者氧化硅中的任一種制備得到。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
