[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202011431430.0
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN113178429A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 陳欣蘋;李明翰;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

第一襯底，具有正面和背面；

第二襯底，具有正面和背面，其中，所述第二襯底的所述背面連接至所述第一襯底的所述背面；

器件層，位于所述第二襯底的所述正面上方；

第一導體，穿過所述第二襯底中的半導體層；以及

導電連接，將所述第一導體連接至所述器件層中的導電部件。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一襯底包括位于所述第一襯底的所述背面的再分布層，并且所述再分布層包括嵌入介電層中的第二導體，其中，所述第一導體接觸所述第二導體。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一導體連接至所述半導體結構的電源軌或者接地平面。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一導體在所述第二襯底的所述正面之上延伸。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括在所述第二襯底的所述正面之上延伸的半導體鰭部，其中，所述第一導體的頂面低于所述半導體鰭部的頂面。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一導體包括鎢、釕、銠、銥、鉬、鉻、或其組合。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一導體包括銅、金、銀、鈀、鋨、鉑、或其組合。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括位于所述第一導體和所述第二襯底之間的襯墊層。

9.一種半導體結構，包括：

第一襯底，具有正面和背面；

第二襯底，具有正面和背面，其中，所述第二襯底的所述背面接合至所述第一襯底的所述背面；

金屬部件，從所述第一襯底的所述背面延伸至所述第二襯底的所述正面；

器件層，位于所述第二襯底的所述正面上方和所述金屬部件上方；以及

多層互連，位于所述器件層上方。

10.一種形成半導體結構的方法，包括：

接收具有正面和背面的第一襯底，所述第一襯底的所述正面具有半導體材料，所述第一襯底的所述背面具有鈍化層；

接收具有正面和背面的第二襯底，所述第二襯底的所述背面具有絕緣體；

將所述第一襯底的所述背面連接至所述第二襯底的所述背面；

蝕刻穿過所述第二襯底和穿過所述鈍化層的溝槽；以及

形成所述溝槽中的導體。