[發明專利]一種薄膜圖形化工藝方法、復合薄膜及電子元器件

有效

• 申請號: 202011431053.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112542379B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 李真宇;張秀全;李洋洋;楊超;韓智勇
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/3213;H01L41/187;H01L41/332
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，包括：

由薄膜基體的離子注入面向所述薄膜基體內進行第一離子注入，在所述薄膜基體內形成薄膜層、分離層和余質層；

將襯底基板與薄膜基體的離子注入面鍵合，得到第一鍵合體；

對所述第一鍵合體熱處理或機械拉扯處理，使所述余質層從所述第一鍵合體上剝離，得到第二鍵合體，所述第二鍵合體包括層疊的薄膜層和襯底基板；

按照目標圖形，對所述第二鍵合體中薄膜層進行刻蝕處理，得到具有目標圖形的薄膜層；

對經過刻蝕處理后的第二鍵合體退火處理，其中，所述退火處理的退火溫度大于對所述第一鍵合體熱處理的溫度。

2.根據權利要求1所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，在所述將襯底基板與薄膜基體的離子注入面鍵合步驟之前，還包括：

由薄膜基體的離子注入面向所述薄膜基體內進行第二離子注入，所述第二離子注入的注入離子質量大于所述第一離子注入的注入離子質量，且，所述第二離子注入的注入深度大于所述第一離子注入的注入深度。

3.根據權利要求1所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，在所述對所述第一鍵合體熱處理或機械拉扯處理，使所述余質層從所述第一鍵合體上剝離，得到第二鍵合體步驟之后，還包括：

由所述薄膜層向所述襯底基板進行第二離子注入，所述第二離子注入的注入離子質量大于所述第一離子注入的注入離子質量，且，所述第二離子注入的注入深度大于所述第一離子注入的注入深度。

4.根據權利要求1、2或3所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，在所述按照目標圖形，對所述第二鍵合體中薄膜層進行刻蝕處理步驟之前，還包括；

對所述第二鍵合體預退火處理，其中，所述預退火處理的退火溫度小于所述退火處理的退火溫度，且所述預退火處理的退火溫度大于對所述第一鍵合體熱處理的溫度。

5.根據權利要求2所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，所述第一離子注入的注入離子為氫離子或氦離子，所述第二離子注入的注入離子為氧離子、氮離子、氬離子、氟離子、氖離子或碳離子。

6.根據權利要求2所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，所述第二離子注入的注入能量大于所述第一離子注入的注入能量。

7.根據權利要求1所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，所述襯底基板與薄膜基體之間還制備有隔離層。

8.根據權利要求4所述的薄膜圖形化工藝方法，其特征在于，對所述第一鍵合體熱處理的溫度為150℃～300℃，對所述第二鍵合體預退火處理的退火溫度為150-700℃，所述退火處理的退火溫度為300℃～800℃。

9.一種復合薄膜，其特征在于，所述復合薄膜通過權利要求1-8任一項所述的薄膜圖形化工藝方法制備。

10.一種電子元器件，其特征在于，所述電子元器件包括權利要求9所述復合薄膜。