[發明專利]電光調制器及用于獲得電光調制器的方法

在審

• 申請號: 202011430192.1
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112925123A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 弗蘭克·科彭斯;貝爾納特·特呂斯;希泰什·阿加瓦爾
• 申請（專利權）人: 光子科學研究所基金會;卡塔拉納調查及高級研究學院
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035;G02F1/03
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 王暉

1.一種電光調制器，所述電光調制器包括：

-半導體基板(S)；

-沿X方向彼此間隔開的至少第一電極(E1)和第二電極(E2)；

-嵌入在所述半導體基板(S)內和/或布置在所述半導體基板上的光波導(W)，所述光波導(W)的上部面被定位為沿所述X方向在所述第一電極(E1)和第二電極(E2)之間的一位置處、下方或上方，其中，所述光波導(W)沿至少橫向于所述X方向的方向縱向地延伸；

-布置在所述半導體基板(S)的上部面的至少一部分上方并沿所述X方向延伸的底部石墨烯片材(Gb)，其中，所述底部石墨烯片材的第一端部與所述第一電極(E1)電連接，并且所述底部石墨烯片材(Gb)沒有觸到所述第二電極(E2)；

-在所述底部石墨烯片材(Gb)上方延伸的第一介電材料的片材(DS)；

-布置在所述第一介電材料的片材(DS)的至少一部分上方并沿所述X方向延伸的頂部石墨烯片材(Gu)，其中，所述頂部石墨烯片材的第一端部與所述第二電極(E2)電連接，并且所述頂部石墨烯片材(Gu)沒有觸到所述第一電極(E1)；以及

-第二介電材料，所述第二介電材料是具有至少與所述第一介電材料的介電特性不同的介電特性的二維材料，覆蓋所述頂部石墨烯片材(Gu)的上部面和底部面和/或覆蓋所述底部石墨烯片材(Gb)的上部面或者上部面和底部面兩者；

其特征在于，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的至少一者沿所述X方向：

-在所述光波導(W)的寬度的一部分上延伸，其中，所述部分的范圍為所述光波導(W)的寬度的50％至100％；或者

-完全在所述光波導(W)的整個寬度上延伸，且延伸超出其沿所述X方向的長度最多為所述光波導(W)寬度的25％的相應的另外突出部分。

2.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)沿所述X方向完全在所述光波導(W)的整個寬度上延伸，且延伸超出其沿所述X方向的長度最多為所述光波導(W)寬度的25％的相應的另外突出部分。

3.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述底部石墨烯片材(Gb)沿所述X方向完全在所述光波導(W)的整個寬度上延伸，且延伸超出其沿所述X方向的長度最多為所述光波導(W)寬度的25％的相應的另外突出部分。

4.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的每一者沿所述X方向在所述光波導(W)的寬度的一部分上延伸，其中，所述部分的范圍為所述光波導(W)的寬度的50％至100％。

5.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的每一者沿所述X方向完全在所述光波導(W)的整個寬度上延伸，并且延伸超出其沿所述X方向的長度最多為所述光波導(W)寬度的25％的相應的另外突出部分。

6.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的至少一者沿所述X方向在所述光波導(W)寬度的75％至100％上延伸。

7.根據權利要求6所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的至少一者沿所述X方向在所述光波導(W)寬度的95％至100％上延伸。

8.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的至少一者沿所述X方向在所述光波導(W)寬度的50％至95％上延伸。

9.根據權利要求1所述的電光調制器，其中，所述頂部石墨烯片材(Gu)和底部石墨烯片材(Gb)中的至少一者沿所述X方向完全在所述光波導(W)寬度上延伸，并且延伸超出其長度最多為所述光波導(W)寬度的5％的另外突出部分。