[發(fā)明專利]形成氮化釩層的方法和包括氮化釩層的結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011428399.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN112992667A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G.A.弗尼;謝琦;H.朱西拉;C.德澤拉;金智妍;E.J.希羅;P.馬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/285
• 分類號(hào): H01L21/285;H01L29/49;C23C16/455;C23C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種形成柵電極結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含以下步驟：

在反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)提供襯底；并且

使用循環(huán)沉積工藝，將氮化釩層沉積到所述襯底的表面上，

其中所述循環(huán)沉積工藝包含：

向所述反應(yīng)室提供鹵化釩前體；并且

向所述反應(yīng)室提供氮反應(yīng)物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鹵化釩前體包含鹵化釩和鹵氧化釩中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述鹵化釩選自由以下組成的群組：氟化釩、氯化釩、溴化釩和碘化釩。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述鹵氧化釩選自由以下組成的群組：氟氧化釩、氯氧化釩、溴氧化釩和碘氧化釩。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述循環(huán)沉積工藝包含原子層沉積工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述循環(huán)沉積工藝包含循環(huán)化學(xué)氣相沉積工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述循環(huán)沉積工藝包含熱工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中向所述反應(yīng)室提供所述氮反應(yīng)物的所述步驟的持續(xù)時(shí)間大于或等于5秒、或大于或等于10秒、或在約5秒與約10秒之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述循環(huán)沉積工藝期間，所述反應(yīng)室內(nèi)的所述襯底的溫度在約20℃與約800℃之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述循環(huán)沉積工藝期間，所述反應(yīng)室內(nèi)的壓力小于760托。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮反應(yīng)物選自以下中的一種或多種：氨(NH₃)、肼(N₂H₄)以及包含氮和氫或由氮和氫組成的其它化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮反應(yīng)物不包括二原子氮。

13.一種形成包含氮化釩層的結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含以下步驟：

在反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)提供襯底；并且

使用熱循環(huán)沉積工藝，將包含氮化釩的層沉積到所述襯底的表面上，

其中所述熱循環(huán)沉積工藝包含：

向所述反應(yīng)室提供鹵化釩前體；并且

向所述反應(yīng)室提供氮反應(yīng)物。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述鹵化釩前體包含鹵化釩和鹵氧化釩中的一種或多種。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述氮反應(yīng)物選自以下中的一種或多種：氨(NH₃)、肼(N₂H₄)以及包含氮和氫或由氮和氫組成的其它化合物。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述氮反應(yīng)物不包括二原子氮。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述熱循環(huán)沉積工藝包含循環(huán)化學(xué)氣相沉積工藝和原子層沉積工藝中的一種或多種。

18.根據(jù)權(quán)利要求1到17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熱循環(huán)沉積工藝不包含使用氮等離子體。

19.根據(jù)權(quán)利要求1到17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熱循環(huán)沉積工藝不包含使用激發(fā)態(tài)氮物種。

20.根據(jù)權(quán)利要求1到17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熱循環(huán)沉積工藝不包含使用氮自由基。