[發(fā)明專利]微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法及微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011428098.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN112666404A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉佳琪;艾夏;李志平;劉鑫;高路;劉向榮;陳姝媛;孟剛;水涌濤;周巖;龔曉剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航天長征飛行器研究所;中國運(yùn)載火箭技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): G01R29/08
• 分類號(hào): G01R29/08;G01R29/10;G01S7/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法及微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)，包括：位于焦點(diǎn)處的饋源，發(fā)射出的球面波經(jīng)反射面反射后變?yōu)槠矫娌ǎ纬芍黛o區(qū)；偏離焦點(diǎn)處的饋源，發(fā)射出的球面波經(jīng)反射面反射后電磁波束發(fā)生偏轉(zhuǎn)，形成副靜區(qū)。采用本申請(qǐng)中的方案，在緊縮場系統(tǒng)中，利用多個(gè)偏焦饋源，形成多個(gè)靜區(qū)能夠?qū)崿F(xiàn)空間多目標(biāo)電磁特征測量環(huán)境的構(gòu)建，適用于較為復(fù)雜的多波束電磁實(shí)物仿真環(huán)境。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及空間信息對(duì)抗技術(shù)，具體地，涉及一種微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法及微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)。

背景技術(shù)

緊縮場是通過精密反射器準(zhǔn)直形成平面波靜區(qū)和低背景電磁環(huán)境，自1969年佐治亞工學(xué)院Johnson教授發(fā)明以來，逐漸成為雷達(dá)目標(biāo)特性精密測量的基礎(chǔ)性主流裝備。截至2015年，美國公布的RCS測試場認(rèn)證狀態(tài)，波音7個(gè)，洛克希德馬丁5個(gè)，雷神4個(gè)，BAE2個(gè)，GE1個(gè)，NASA1個(gè)，其它(含海空軍)17個(gè)，高校2個(gè)(OSU，GTRI)，合計(jì)39個(gè)。

自上世紀(jì)80年代，我國開始研究緊縮場技術(shù)，已自主研制出不同尺寸，多種類型的緊縮場。1992年我國自行研制了國內(nèi)第一臺(tái)靜區(qū)1.5m 雙柱面緊縮場，2000年完成了靜區(qū)5m的大型雙柱面緊縮場建造，2002 年建造了靜區(qū)尺寸為4.5m的單旋轉(zhuǎn)拋物面緊縮場，2003年研制了靜區(qū)為0.8m的前饋卡塞格倫緊縮場，2009年研制出靜區(qū)6m的單反射面緊縮場，2012年研制出靜區(qū)16m的單反射面緊縮場。

國內(nèi)外緊縮場的主要技術(shù)功能是實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)場平面波條件，用于天線方向圖和雷達(dá)目標(biāo)RCS特性測量，緊縮場通常要求為單一平面波靜區(qū)。傳統(tǒng)拋物面有偏焦多波束的應(yīng)用，但其工作在天線的遠(yuǎn)場輻射區(qū)。

現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題：

目前尚未有微波暗室內(nèi)的多波束應(yīng)用實(shí)現(xiàn)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例中提供了一種微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法及微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)，以解決上述技術(shù)問題。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一個(gè)方面，提供了一種微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法，包括如下步驟：

將至少一個(gè)饋源置于焦點(diǎn)處，位于焦點(diǎn)處的饋源發(fā)射出的球面波經(jīng)反射面反射后變?yōu)槠矫娌ǎ纬芍黛o區(qū)；

將至少一個(gè)饋源置于偏離焦點(diǎn)處，通過控制偏離焦點(diǎn)的饋源的位置與焦點(diǎn)的距離，使電磁波束發(fā)生偏轉(zhuǎn)，形成副靜區(qū)。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二個(gè)方面，提供了一種微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)，包括：用于多個(gè)饋源、以及反射面的控制模塊；

位于焦點(diǎn)處的饋源，發(fā)射出的球面波經(jīng)反射面反射后變?yōu)槠矫娌ǎ纬芍黛o區(qū)；

偏離焦點(diǎn)處的饋源，發(fā)射出的球面波經(jīng)反射面反射后電磁波束發(fā)生偏轉(zhuǎn)，形成副靜區(qū)。

采用本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法及微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)，在緊縮場系統(tǒng)中，利用多個(gè)偏焦饋源，形成多個(gè)靜區(qū)能夠?qū)崿F(xiàn)空間多目標(biāo)電磁特征測量環(huán)境的構(gòu)建，適用于較為復(fù)雜的多波束電磁實(shí)物仿真環(huán)境。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了本申請(qǐng)實(shí)施例一中微波暗室多靜區(qū)構(gòu)建方法實(shí)施的流程示意圖；

圖2示出了本申請(qǐng)實(shí)施例二中微波暗室多靜區(qū)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了本申請(qǐng)實(shí)施例三中多靜區(qū)緊縮場的工作原理示意圖；

圖4示出了本申請(qǐng)實(shí)施例三中多靜區(qū)饋源排列示意圖；

圖5示出了本申請(qǐng)實(shí)施例三中多靜區(qū)空間分布示意圖；

圖6示出了本申請(qǐng)實(shí)施例三中緊縮場反射面的示意圖；