[發明專利]發光器件制作方法、發光器件以及顯示器件

在審

• 申請號: 202011427965.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112993116A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 張雪梅;王濤
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/22;H01L33/48;H01L33/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請涉及一種發光器件及其制作方法，以及顯示器件，其中所述發光器件制作方法包括：提供襯底；在所述襯底的表面依次生成犧牲層及圖案化層，其中，所述圖案化層的表面包括粗糙面；在所述圖案化層的粗糙面上依次生成外延層及電極層，激光剝離所述襯底并去除所述犧牲層。解決現有的發光器件進制作過程中激光去除襯底時導致外延層受到損壞的技術問題，提高顯示器件的質量。

技術領域

本申請涉及發光器件領域，尤其涉及一種發光器件及其制作方法，以及顯示器件。

背景技術

微發光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)發光器件大多采用激光剝離技術去除襯底，但是襯底經過圖形化處理后，與氮化鎵外延層的接觸面為非平面，所以在激光剝離襯底的過程中，由于光的折射導致非平面的接觸面接收的激光能量不同，導致襯底剝離后造成外延層受到損傷，以使芯片整體結構受到破壞，芯片制作良率降低。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本申請的目的在于提供一種發光器件的制作方法，旨在解決現有的發光器件進制作過程中外延層受到損壞的技術問題。

此外，本申請還提供了一種發光器件以及顯示器件。

本申請實施例提供一種發光器件制作方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底的表面依次生成犧牲層及圖案化層，其中，所述圖案化層的表面包括粗糙面；

在所述圖案化層的粗糙面上依次生成外延層及電極層，

激光剝離所述襯底并去除所述犧牲層。

其中，所述激光的能量介于襯底的禁帶寬度和所述犧牲層的禁帶寬度之間，所述襯底的禁帶寬度大于所述犧牲層的禁帶寬度。

其中，所述襯底為藍寶石襯底；

所述“在所述襯底的表面生成犧牲層及圖案化層”的步驟中，包括，采用三氧化二鋁或者氮化鋁材料通過氣相沉積方法形成基礎層后，再通過圖案化工藝加工所述基礎層形成所述圖案化層。

其中，所述“在所述襯底的表面生成犧牲層及圖案化層”的步驟中，包括，采用氮化鎵或者摻雜型氮化鎵材料，通過金屬有機化合物氣相淀積方法，在所述襯底的表面生成所述犧牲層。

其中，所述犧牲層和所述圖案化層厚度為0.5-3um。

其中，通過拋光減薄或干刻蝕的方式去除所述犧牲層。

其中，在“所述圖案化層的粗糙面上生成外延層”的步驟中，采用金屬有機化合物氣相淀積方法，在所述粗糙面上生成所述外延層，所述外延層包括第一半導體層、第二半導體層以及設置于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層，所述第一半導體層和第二半導體層為不同摻雜類型的半導體層。

其中，所述“在所述圖案化層的粗糙面上依次生成外延層及電極層”的步驟包括在所述外延層上制作第一電極和第二電極，所述第一電極與所述第一半導體層電性連接，所述第二電極與所述第二半導體電性連接。

本發明提供一種發光器件，所述發光器件和所述的發光器件的制作方法制成。

本發明還提供一種顯示器件，所述顯示器件包括外殼、電路板以及數個所述的發光器件，所述發光器件與電路板裝設在所述外殼內，數個所述發光器件呈陣列排布并與電路板電連接。

本申請的發光器件在襯底與外延層之間形成犧牲層，犧牲層與外延層材料相同，在激光剝離襯底時犧牲層保護了外延層不被損傷，便于剝離并保持了芯片的結構完整性，盡可能大的提高了芯片良率。

附圖說明

圖1為本申請實施例的發光器件的制作方法的流程圖；