[發(fā)明專利]一種SPWM調(diào)制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011427394.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112202357B | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余健健;丁平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市尚科新能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M7/5387 | 分類號(hào): | H02M7/5387;H02M7/5395 |
| 代理公司: | 深圳市優(yōu)一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44522 | 代理人: | 楊芳;王宏洋 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 spwm 調(diào)制 方法 | ||
1.一種SPWM調(diào)制方法,應(yīng)用于單極性SPWM調(diào)制電路,所述SPWM調(diào)制電路包括逆變器和主控芯片,所述逆變器包括第一開關(guān)管、第三開關(guān)管、第二開關(guān)管、第四開關(guān)管,所述第一開關(guān)管和所述第三開關(guān)管串聯(lián)構(gòu)成工頻橋臂,所述第二開關(guān)管和所述第四開關(guān)管串聯(lián)構(gòu)成高頻橋臂,所述工頻橋臂與所述高頻橋臂并聯(lián),其特征在于,所述SPWM調(diào)制方法包括:
主控芯片發(fā)出所述第一開關(guān)管、所述第三開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第四開關(guān)管的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào);
所述第一開關(guān)管在0度過零處插入與所述第四開關(guān)管0度過零處一致的第一SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述第一SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形持續(xù)單個(gè)開關(guān)周期;
所述第一開關(guān)管在180度過零處插入與所述第四開關(guān)管180度過零處一致的第二SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述第二SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形持續(xù)單個(gè)開關(guān)周期;
所述第三開關(guān)管在0度過零處插入與所述第二開關(guān)管0度過零處一致的第三SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述第三SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形持續(xù)單個(gè)開關(guān)周期;
所述第三開關(guān)管在180度過零處插入與所述第二開關(guān)管180度過零處一致的第四SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述第四SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形持續(xù)單個(gè)開關(guān)周期。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述逆變器還包括濾波器,所述濾波器兩端分別接所述工頻橋臂的中點(diǎn)和所述高頻橋臂的中點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述濾波器為L(zhǎng)C濾波器,所述LC濾波器包括電感和電容,所述電感和電容相互串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述第一開關(guān)管、所述第三開關(guān)管的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)與電網(wǎng)電壓頻率、相位同步。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述第二開關(guān)管、所述第四開關(guān)管的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)為正弦參考信號(hào)與三角載波調(diào)制所得的SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述第一開關(guān)管、第三開關(guān)管為同種開關(guān)管,所述第二開關(guān)管、第四開關(guān)管為同種開關(guān)管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述第一開關(guān)管、第三開關(guān)管均為三極管、IGBT、MOSFET中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述第二開關(guān)管、所述第四開關(guān)管均為三極管、IGBT、MOSFET中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的SPWM調(diào)制方法,其特征在于,所述逆變器還包括直流源,所述直流源與所述工頻橋臂和所述高頻橋臂并聯(lián)。
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