[發(fā)明專利]一種模式可重構(gòu)的OAM圓極化天線及無線通信設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011427280.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112510364A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃惠芬;張志平;葉君杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q1/50 | 分類號(hào): | H01Q1/50;H01Q25/04;H01Q1/00;H01Q15/00;H01Q15/24;H01Q21/06;H01Q13/10;H01Q9/04;H01Q3/34;H01Q1/38 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模式 可重構(gòu) oam 極化 天線 無線通信 設(shè)備 | ||
1.一種模式可重構(gòu)的OAM圓極化天線,其特征在于,包括疊放設(shè)置的兩層介質(zhì)基板、可重構(gòu)的饋電網(wǎng)絡(luò)及同軸饋線,可重構(gòu)的饋電網(wǎng)絡(luò)包括微帶電路及金屬反射地,兩層介質(zhì)基板包括上層介質(zhì)基板及下層介質(zhì)基板,所述上層介質(zhì)基板的上表面設(shè)置圓極化天線陣列,其下表面設(shè)置金屬反射地,所述下層介質(zhì)基板的下表面設(shè)置微帶電路,同軸饋線分別與微帶電路的輸入端及金屬反射地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述圓極化天線陣列包括N*M個(gè)呈陣列設(shè)置的圓極化天線單元,所述圓極化天線單元包括極化轉(zhuǎn)換超表面結(jié)構(gòu)及饋電結(jié)構(gòu),所述饋電結(jié)構(gòu)為縫隙耦合饋電,包括微帶饋線及矩形縫隙,所述微帶饋線設(shè)置在下層介質(zhì)基板的下表面,所述微帶饋線與微帶電路連接,矩形縫隙設(shè)置在金屬反射板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述極化轉(zhuǎn)換超表面結(jié)構(gòu)包括A×A個(gè)方形貼片,每個(gè)方形貼片設(shè)置兩個(gè)金屬化通孔與金屬反射地連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述微帶饋線包括兩條相互連接的微帶線。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述微帶電路關(guān)于輸入饋線中線軸對(duì)稱,包括一個(gè)T形功分器、兩個(gè)Y形微帶線、兩個(gè)3dB方形分支電橋和偏置電路微帶線,所述T形功分器的輸入端與輸入饋線連接,其兩個(gè)輸出端分別通過Y形微帶線與3dB方形分支電橋的兩個(gè)輸入端連接,3dB方形分支電橋的兩個(gè)輸出端分別與微帶饋線連接,Y形微帶線的輸入端及3dB分支電橋的輸入端均通過射頻扼流圈與偏置電路微帶線連接,分別與兩個(gè)Y形微帶線的輸入端連接的偏置電路微帶線通過導(dǎo)線與控制電壓連接,分別與兩個(gè)3dB分支電橋的輸入端連接的偏置電路微帶線接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述Y形微帶線輸入端與T形功分器輸出端跨接電容,所述Y形微帶線輸出端與3dB方形分支電橋的輸入端通過兩個(gè)射頻開關(guān)跨接相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6任一項(xiàng)所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述T形功分器為等幅同相功分器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述3dB方形分支電橋相當(dāng)于一個(gè)等幅差相功分器,兩個(gè)輸出端可提供固定相位差為90°。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OAM圓極化天線,其特征在于,所述矩形縫隙與微帶饋線垂直,且位于極化轉(zhuǎn)換超表面結(jié)構(gòu)的中軸線。
10.一種無線通信設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的OAM圓極化天線。
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