[發明專利]一種用于MOCVD設備的硅基托盤及制備方法

有效

• 申請號: 202011425944.5
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112410762B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 汪洋;余盛杰;劉佳寶;柴攀;萬強
• 申請（專利權）人: 湖南德智新材料有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 長沙朕揚知識產權代理事務所(普通合伙) 43213
• 代理人: 劉向丹

1.一種用于MOCVD設備的硅基托盤,其特征在于,其包括構成托盤基材的Si基體和Si基體表面的復合涂層,所述復合涂層包括熱解炭過渡層,Si基體與熱解炭過渡層之間界面處的SiC界面層、以及最外層的SiC涂層,所述SiC界面層由熱解炭過渡層與Si基體在界面處發生反應形成；所述熱解炭過渡層厚度為1-10um；所述SiC涂層厚度為60-100um。

2.根據權利要求1所述的用于MOCVD設備的硅基托盤,其特征在于,所述Si基體為高純Si材料,純度大于99.99 %。

3.根據權利要求1所述的用于MOCVD設備的硅基托盤,其特征在于,所述SiC界面層厚度為10-100nm。

4.根據權利要求1所述的用于MOCVD設備的硅基托盤,其特征在于,所述復合涂層粗糙度低于2um。

5.一種權利要求1～3任一項所述用于MOCVD設備的硅基托盤的制備方法,其特征在于，包括下述的步驟:

(1)通過化學氣相沉積法在Si基體表面沉積熱解炭過渡層;

(2)將溫度升高至1200-1400℃并保溫一段時間,形成SiC界面層;

(3)通過化學氣相沉積法在熱解炭過渡層上沉積SiC涂層,得到所述用于MOCVD設備的硅基托盤。

6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述步驟⑴沉積條件為:以甲烷為碳源物質,沉積溫度為900～1200℃,沉積時間為1～20h。

7.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述步驟（ 2） 保溫時間為1-2h。

8.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述步驟（ 3)沉積條件為:以甲基三氯硅烷為SiC源物質,沉積溫度為1000-1300℃,沉積時間為5～50h。