[發明專利]鈮酸鋰單晶薄膜芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202011425317.1
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112540428B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發明（設計）人: 周赤;吉貴軍;劉昆;張大鵬;王興龍
• 申請（專利權）人: 珠海光庫科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13;G02F1/035;C23C14/48
• 代理公司: 珠海智專專利商標代理有限公司 44262
• 代理人: 薛飛飛;黃國豪

1.鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在原料鈮酸鋰晶圓的光學級表面上制備光波導；

在所述原料鈮酸鋰晶圓上具有所述光波導的一側制備介質膜，所述介質膜填充在所述光波導之間的空隙內，所述光波導與所述介質膜形成光波導介質層；

穿過所述光波導介質層朝向所述原料鈮酸鋰晶圓注入離子，在所述光波導介質層的下方形成離子層；

將支撐晶圓與所述光波導介質層鍵合；

加熱至第一預設溫度；

加熱至第二預設溫度，使所述光波導介質層與所述原料鈮酸鋰晶圓分離并存留在所述支撐晶圓上，所述第二預設溫度大于所述第一預設溫度；

對所述光波導介質層進行拋光處理。

2.根據權利要求1所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述介質膜的材料的折射率和所述支撐晶圓的材料的折射率均小于鈮酸鋰材料的折射率。

3.根據權利要求2所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述介質膜的材料為二氧化硅或苯并環丁烯。

4.根據權利要求1至3任一項所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在對所述光波導介質層進行拋光處理的步驟之后，所述制作方法還包括：

采用濕法刻蝕的方法去除所述介質膜。

5.根據權利要求1至3任一項所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在制備介質膜的步驟中，所述介質膜覆蓋所述光波導。

6.根據權利要求5所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

在形成光波導介質層之后，且在將支撐晶圓與所述光波導介質層鍵合之前，所述制作方法還包括：

對所述光波導介質層進行拋光處理，直至所述光波導露出。

7.根據權利要求1至3任一項所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

采用鍍膜工藝或采用液態有機物涂布的方式制備所述介質膜。

8.根據權利要求1至3任一項所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片的制作方法，其特征在于：

所述第一預設溫度為200℃至230℃，所述第二預設溫度為250℃至350℃。

9.鈮酸鋰單晶薄膜芯片，其特征在于，所述鈮酸鋰單晶薄膜芯片由上述權利要求1至8任一項所述的制作方法制作而成；

所述鈮酸鋰單晶薄膜芯片包括支撐晶圓和位于所述支撐晶圓上的光波導。

10.根據權利要求9所述的鈮酸鋰單晶薄膜芯片，其特征在于：

所述光波導的側壁垂直于所述支撐晶圓的表面。