[發(fā)明專利]一種硅基濾波芯片及其頻率偏移修正方法

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• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112466854A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬晶;梁曉新
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山鴻永微波科技有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H03H9/02
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 孫茂義

1.一種硅基濾波芯片，包括： n個硅腔諧振單元，每個硅腔諧振單元包括上下依次設(shè)置的第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，還包括輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述輸入饋線槽和第一缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元矩陣中任一行的首位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸入饋線槽與第一缺陷耦合槽連通，進(jìn)行待濾波信號的輸入；所述輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元矩陣中任一行的末位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸出饋線槽與第二缺陷耦合槽連通，輸出濾波信號；其特征在于，設(shè)置激光貫穿通孔，貫穿第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，分布在相鄰兩個硅腔諧振單元的通孔的兩側(cè)，或者相鄰兩個硅腔諧振單元的金屬層相接處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基濾波芯片，其特征在于所述硅腔諧振單元的邊緣設(shè)置有多個通孔，所述通孔貫穿第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，且通孔側(cè)壁濺射和電鍍金。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基濾波芯片，其特征在于所述通孔為全通孔或半通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基濾波芯片，其特征在于所述n≥1，且為整數(shù)，所述n大于1時，n個硅腔諧振單元排列成矩陣，相鄰兩個硅腔諧振單元邊緣的半通孔對應(yīng)組合為全通孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基濾波芯片，其特征在于所述輸入饋線槽和輸出饋線槽延伸至第一金屬層邊緣，所述輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽深度與第一金屬層厚度對等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基濾波芯片，其特征在于所述激光貫穿通孔采用激光擊穿第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層形成。

7.一種硅基濾波芯片頻率偏移修正方法，包括： n個硅腔諧振單元，每個硅腔諧振單元包括上下依次設(shè)置的第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層；還包括輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述輸入饋線槽和第一缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元矩陣中任一行的首位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸入饋線槽與第一缺陷耦合槽連通，進(jìn)行待濾波信號的輸入；所述輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽設(shè)置在硅腔諧振單元矩陣中任一行的末位硅腔諧振單元上的第一金屬層上，所述輸出饋線槽與第二缺陷耦合槽連通，輸出濾波信號；設(shè)置激光貫穿通孔，貫穿第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層，分布在相鄰兩個硅腔諧振單元的通孔的兩側(cè)，或者相鄰兩個硅腔諧振單元的金屬層相接處；其特征在于，所述激光貫穿通孔采用激光點(diǎn)燒擊穿第一金屬層、高阻硅介質(zhì)層和第二金屬層形成；

當(dāng)加工出的硅基濾波芯片頻率稍微向低頻偏移時，激光貫穿通孔打在相鄰兩個硅腔諧振單元的通孔的兩側(cè)，可將通帶頻率上移實(shí)現(xiàn)頻率偏移修正的功能；

當(dāng)加工出的硅基濾波芯片頻率大幅向低頻偏移時，激光貫穿通孔打在相鄰兩個硅腔諧振單元的金屬層相接處，可將通帶頻率大幅上移，且上移程度與激光通孔向硅腔諧振單元內(nèi)移動的距離有關(guān)，越向內(nèi)，上移程度越大，實(shí)現(xiàn)頻率偏移修正的功能。