[發明專利]一種DMD雜散光檢測裝置及檢測方法

有效

• 申請號: 202011423608.7
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112697397B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 姚雪峰;于宏柱;馬振予;李曉天;于廣東
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02
• 代理公司: 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214
• 代理人: 李青

1.一種DMD雜散光檢測裝置，其特征在于，該裝置包括：照明系統、被測DMD和成像系統；所述照明系統匯聚光源光斑大小連續可調，從而調整被測DMD照亮區域的大小，由成像系統對被測DMD的被照亮區域成像；所述照明系統包括：激光器、光纖準直器、可變光闌、濾光片和聚焦鏡頭；所述激光器發出的光經過所述光纖準直器準直，由所述可變光闌擴束，通過所述濾光片濾光，最后由聚焦鏡頭匯聚到被測DMD上；所述激光器、光纖準直器、可變光闌、濾光片和聚焦鏡頭依次同軸設置；所述成像系統包括：CMOS探測器及位于所述CMOS探測器前端的前置鏡頭；DMD雜散光檢測裝置的檢測方法，包括如下步驟：

步驟一：根據測試需求確定被測DMD微鏡單元的數量及組合模式并計算出照明區域的大小；

步驟二：根據步驟一所述照明區域的大小計算并調節可變光闌的通光孔徑大小；

步驟三：開啟激光器和CMOS探測器，同時將被測DMD要測試的微鏡單元區域調整至指向CMOS探測器方向，所述CMOS探測器采集一幅圖像并保存，記為I₁；

步驟四：其它參數不變，將被測DMD所有微鏡單元都調整至指向CMOS探測器方向，所述CMOS探測器采集一幅圖像并保存，記為I₂；

步驟五：用步驟四獲取的圖像I₂減去第一次獲取的圖像I₁，得到圖像I₃，則I₃表示的是成像模式下待測區域以外微鏡單元的反射光線分布情況，也就是雜散光。

2.根據權利要求1所述的一種DMD雜散光檢測裝置，其特征在于，所述被測DMD通過二維調整位移臺固定。

3.采用權利要求1或2所述的一種DMD雜散光檢測裝置檢測DMD雜散光的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

步驟一：根據測試需求確定被測DMD微鏡單元的數量及組合模式并計算出照明區域的大小；

步驟二：根據步驟一所述照明區域的大小計算并調節可變光闌的通光孔徑大小；

步驟三：開啟激光器和CMOS探測器，同時將被測DMD要測試的微鏡單元區域調整至指向CMOS探測器方向，所述CMOS探測器采集一幅圖像并保存，記為I₁；

步驟四：其它參數不變，將被測DMD所有微鏡單元都調整至指向CMOS探測器方向，所述CMOS探測器采集一幅圖像并保存，記為I₂；

步驟五：用步驟四獲取的圖像I₂減去第一次獲取的圖像I₁，得到圖像I₃，則I₃表示的是成像模式下待測區域以外微鏡單元的反射光線分布情況，也就是雜散光。