[發明專利]單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置

在審

• 申請號: 202011423340.7
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112635358A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 劉躍;劉寧;宋振偉;張守龍;金新
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于，包括：

用于固定晶圓的卡置裝置；

在所述卡置裝置中形成有連通到所述卡置裝置表面的供應氣道，在所述卡置裝置的表面上形成有隆起環；

所述晶圓固定在所述卡置裝置上時，所述晶圓的第一面和所述卡置裝置表面之間表面氣道，所述隆起環環繞在所述晶圓的邊緣周側且所述隆起環和所述晶圓邊緣之間形成邊緣氣道；

背面氣體通過所述供應氣道流入到所述表面氣道中形成氣墊，所述背面氣體從所述邊緣氣道流出到所述晶圓外；

所述晶圓的第二面為需要進行濕法刻蝕的表面，在所述濕法刻蝕中，所述邊緣氣道的所述背面氣體完全阻止濕法刻蝕液流從所述晶圓的邊緣流到所述晶圓的第一面。

2.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：在所述卡置裝置上具有多個頂針，所述晶圓的放置在所述頂針上。

3.如權利要求2所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：各所述頂針均勻分布在同一圓周上。

4.如權利要求3所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述頂針對應的圓周位于所述晶圓的邊緣內側。

5.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：在剖面結構上，所述供應氣道呈Y字型分布。

6.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述晶圓的邊緣包括頂部側面和底部側面，所述晶圓的頂部側面和底部側面都呈圓弧型結構。

7.如權利要求6所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述隆起環的內側面具有和所述晶圓的底部側面相匹配的圓弧結構。

8.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述背面氣體包括氮氣。

9.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述濕法刻蝕液通過供液裝置從所述晶圓的第二面的上方流入到所述晶圓的第二面上。

10.如權利要求9所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述卡置裝置設置在轉動裝置上，在所述濕法刻蝕過程中，所述卡置裝置在所述轉動裝置帶動下旋轉。

11.如權利要求9所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述供液裝置包括供液管和設置在所述供液管上的供液噴嘴；

在進行所述濕法刻蝕時，所述供液管供應濕法刻蝕液并從所述供液噴嘴噴出。

12.如權利要求11所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述供液管的上游設置有回吸裝置；在濕法刻蝕完成后，所述回吸裝置工作并將所述濕法刻蝕液從所述供液噴嘴和所述供液管中回吸。

13.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述晶圓的第一面為背面，所述晶圓的第二面被正面，半導體器件形成在所述晶圓的第二面上。

14.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述晶圓包括硅晶圓。

15.如權利要求1所述的單片濕法刻蝕機臺的晶圓邊緣保護裝置，其特征在于：所述晶圓的直徑包括6英寸、8英寸和12英寸以上。