[發(fā)明專利]一種基于斬波技術(shù)的LDO電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011423180.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112558668B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張野;施展;張俊星;馮沖;董玉華;閆國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連民族大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05F1/46 | 分類號(hào): | G05F1/46;G05F1/577 |
| 代理公司: | 北京君泊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11496 | 代理人: | 李丹 |
| 地址: | 116600 遼寧省*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 技術(shù) ldo 電路 | ||
1.一種基于斬波技術(shù)的LDO電路,包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5,其特征在于,所述MOS管M1的柵極連接輸入端Vbg,MOS管M1的源極連接MOS管M5的漏極和MOS管M2的源極,MOS管M1的漏極連接MOS管M3的漏極、MOS管M6的漏極和MOS管M9的柵極,MOS管M5的源極連接MOS管M6的漏極、MOS管M8的源極、MOS管M10的源極、MOS管M12的源極和電壓VDD,MOS管M5的柵極連接輸入端Vbias、MOS管M8的柵極和MOS管M10的柵極,MOS管M3的源極連接MOS管M4的源極、MOS管M9的源極MOS管M11的漏極、電阻R2和地,MOS管M3的柵極連接MOS管M4的柵極和MOS管M2的漏極,MOS管M2的柵極連接電阻R1和電阻R2的另一端,MOS管M6的源極連接MOS管M7的漏極和MOS管M7的源極,MOS管M7的柵極連接MOS管M8的漏極、MOS管M9的漏極和MOS管M11的柵極,MOS管M10的漏極連接MOS管M11的源極和MOS管M12的柵極,MOS管M12的漏極連接電阻R1的另一端和輸出端Vout;
MOS管M1和MOS管M2組成PMOS管MOS差分輸入對(duì),MOS管M3、MOS管M4電流鏡為有源負(fù)載;MOS管M5為第一級(jí)提供恒定偏置電流,輸出級(jí)放大電路由MOS管M8、MOS管M9組成,MOS管M8為共源放大器,MOS管M9為其提供恒定偏置電流同時(shí)作為第二級(jí)輸出負(fù)載,相位補(bǔ)償電路由MOS管M6與MOS管M7構(gòu)成,MOS管M6工作在線性區(qū),與MOS管MOS電容一起跨接在第二級(jí)輸入輸出之間,構(gòu)成RC密勒補(bǔ)償,且誤差放大器中使用的米勒補(bǔ)償在對(duì)環(huán)路進(jìn)行補(bǔ)償?shù)耐瑫r(shí)也是一個(gè)低通濾波器,第三級(jí)為pMOS管Mos的源跟隨器,其能夠幫助穩(wěn)定器穩(wěn)定并提高電路的瞬態(tài)響應(yīng),第四級(jí)為pMOS管Mos輸出管與兩個(gè)反饋電阻組成;
還使用3個(gè)斬波器ch1-ch3實(shí)現(xiàn)斬波調(diào)制,在二級(jí)運(yùn)放中使用斬波器ch1和ch2降低輸入差分對(duì)MOS管M3和MOS管M4的失配,斬波器ch3用于降低1/f噪聲,后通過(guò)MOS管M6與MOS管M7組成的低通濾波器,對(duì)LDO的直流失調(diào)與1/f噪聲進(jìn)行消除。
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G05F1-02 .調(diào)節(jié)電弧的電氣特性
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