[發明專利]一種基于斬波技術的LDO電路

有效

• 申請號: 202011423180.6
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112558668B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 張野;施展;張俊星;馮沖;董玉華;閆國強
• 申請（專利權）人: 大連民族大學
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46;G05F1/577
• 代理公司: 北京君泊知識產權代理有限公司 11496
• 代理人: 李丹

1.一種基于斬波技術的LDO電路，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5，其特征在于，所述MOS管M1的柵極連接輸入端Vbg，MOS管M1的源極連接MOS管M5的漏極和MOS管M2的源極，MOS管M1的漏極連接MOS管M3的漏極、MOS管M6的漏極和MOS管M9的柵極，MOS管M5的源極連接MOS管M6的漏極、MOS管M8的源極、MOS管M10的源極、MOS管M12的源極和電壓VDD，MOS管M5的柵極連接輸入端Vbias、MOS管M8的柵極和MOS管M10的柵極，MOS管M3的源極連接MOS管M4的源極、MOS管M9的源極MOS管M11的漏極、電阻R2和地，MOS管M3的柵極連接MOS管M4的柵極和MOS管M2的漏極，MOS管M2的柵極連接電阻R1和電阻R2的另一端，MOS管M6的源極連接MOS管M7的漏極和MOS管M7的源極，MOS管M7的柵極連接MOS管M8的漏極、MOS管M9的漏極和MOS管M11的柵極，MOS管M10的漏極連接MOS管M11的源極和MOS管M12的柵極，MOS管M12的漏極連接電阻R1的另一端和輸出端Vout；

MOS管M1和MOS管M2組成PMOS管MOS差分輸入對，MOS管M3、MOS管M4電流鏡為有源負載；MOS管M5為第一級提供恒定偏置電流，輸出級放大電路由MOS管M8、MOS管M9組成，MOS管M8為共源放大器，MOS管M9為其提供恒定偏置電流同時作為第二級輸出負載，相位補償電路由MOS管M6與MOS管M7構成，MOS管M6工作在線性區，與MOS管MOS電容一起跨接在第二級輸入輸出之間，構成RC密勒補償，且誤差放大器中使用的米勒補償在對環路進行補償的同時也是一個低通濾波器，第三級為pMOS管Mos的源跟隨器，其能夠幫助穩定器穩定并提高電路的瞬態響應，第四級為pMOS管Mos輸出管與兩個反饋電阻組成；

還使用3個斬波器ch1-ch3實現斬波調制，在二級運放中使用斬波器ch1和ch2降低輸入差分對MOS管M3和MOS管M4的失配，斬波器ch3用于降低1/f噪聲，后通過MOS管M6與MOS管M7組成的低通濾波器，對LDO的直流失調與1/f噪聲進行消除。