[發明專利]單片工藝腔的晶圓檢測裝置和方法

有效

• 申請號: 202011422009.3
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112635345B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 封貽杰;劉躍;劉寧;宋振偉;張守龍;金新
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于，包括：光信號發射端、光信號接收端和模式控制部件；

所述模式控制部件在晶圓作業過程中關閉所述光信號發射端，以防止所述光信號發射端發射的光信號和作業過程中的所述晶圓的膜層產生光化學反應；

所述模式控制部件在所述晶圓作業之前打開所述光信號發射端；

所述模式控制部件在所述晶圓作業結束之后打開所述光信號發射端。

2.如權利要求1所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述晶圓作業之前包括將所述晶圓傳送到單片工藝腔中并放置在所述單片工藝腔的載片臺上的放片過程，所述光信號發射端和所述光信號接收端對放片過程中的所述晶圓進行檢測，放片完成后，所述光信號發射端發射的光信號被所述晶圓阻擋而不被所述光信號接收端接收。

3.如權利要求2所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述晶圓作業結束之后包括將所述晶圓從單片工藝腔的載片臺上取出的取片過程，取片完成后，所述光信號發射端發射的光信號被所述光信號接收端接收。

4.如權利要求1至3中任一權項所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述模式控制部件包括設置在所述光信號接收端的光電繼電器；

在所述晶圓作業之前，所述晶圓放置在單片工藝腔的載片臺上后，所述光信號發射端發射的光信號被所述晶圓阻擋而不被所述光電繼電器接收，從而觸發所述光電繼電器斷開所述光信號發射端的供電路徑；

在所述載片臺上未放置所述晶圓或所述晶圓被取走時，所述光信號發射端發射的光信號被所述光電繼電器接收，從而觸發所述光電繼電器導通所述光信號發射端的供電路徑。

5.如權利要求4所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述單片工藝腔包括單片濕法刻蝕工藝腔。

6.如權利要求5所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述晶圓上形成有銅層，所述晶圓的作業過程為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕中會使所述晶圓上的銅層表面暴露，在晶圓作業過程中關閉所述光信號發射端能防止在光化學反應催化下產生銅擴散。

7.如權利要求6所述的單片工藝腔的晶圓檢測裝置，其特征在于：所述濕法刻蝕為對所述晶圓上采用大馬士革工藝形成的通孔開口內側表面的聚合物殘留物的刻蝕；或者，所述濕法刻蝕為對所述晶圓上采用雙大馬士革工藝形成的溝槽和通孔開口內側表面的聚合物殘留物的刻蝕。

8.一種單片工藝腔的晶圓檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在晶圓作業之前，模式控制部件控制光信號發射端和光信號接收端工作，以實現對所述晶圓的放片進行檢測；

步驟二、在所述晶圓作業開始時所述模式控制部件關閉所述光信號發射端并在所述作業過程中使所述光信號發射端保持為關閉狀態，以防止所述光信號發射端發射的光信號和作業過程中的所述晶圓的膜層產生光化學反應；

步驟三、在所述晶圓的作業完成后，模式控制部件控制光信號發射端和光信號接收端工作，以實現對所述晶圓的取片進行檢測。

9.如權利要求8所述的單片工藝腔的晶圓檢測方法，其特征在于：所述放片為將所述晶圓傳送到單片工藝腔上并放置在所述單片工藝腔的載片臺上；所述放片完成后，所述光信號發射端發射的光信號被所述晶圓阻擋而不被所述光信號接收端接收。

10.如權利要求9所述的單片工藝腔的晶圓檢測方法，其特征在于：所述取片為將所述晶圓從單片工藝腔的載片臺上取出；取片完成后，所述光信號發射端發射的光信號被所述光信號接收端接收。