[發明專利]基板支撐架及基板處理裝置在審
| 申請號: | 202011421992.7 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN112951739A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 樸又永;具滋賢;韓昌熙;李圣恩;全成浩;孫炳國;盧成鎬;吳永澤 | 申請(專利權)人: | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國京畿道平*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐架 處理 裝置 | ||
本發明作為一種基板支撐架,包括:基座,形成有上面凹陷形成的圓盤形狀的多個口袋槽部,以在上面沿著周圍方向安裝基板;軸,連接于基座下部以旋轉驅動基座;及附屬件,安裝在口袋槽部,并且在上面安裝基板;其中,基座包括:升降氣體孔部,為了漂浮附屬件而形成在口袋槽部中心部分,并且噴射通過形成在基座內部的第一升降氣體流道流進的升降氣體;及運動氣體孔部,為了旋轉驅動在口袋槽部漂浮的附屬件而形成在口袋槽部邊緣部分,并且噴射通過形成在基座內部的第一運動氣體流道流進的運動氣體;軸包括:第二升降氣體流道,將從外部供應的升降氣體傳遞至第一升降氣體流道;及第二運動氣體流道,將從外部供應的運動氣體傳遞至第一運動氣體流道。
技術領域
本發明涉及基板支撐架及基板處理裝置,更詳細地說涉及用于在基板上沉積薄膜的基板支撐架及基板處理裝置。
背景技術
通常,為了制造半導體元件或者顯示元件、太陽能電池,在具有真空環境的工藝腔室的基板處理裝置中執行各種工藝。例如,在工藝腔室內裝載基板,在基板上沉積薄膜或者蝕刻薄膜等的工藝。此時,基板被設置在工藝腔室內的基板支撐架支撐,通過與基板支撐架相互面對地設置在基板支撐架上部的花灑頭可向基板噴射工藝氣體。
此時,為了在基板生長均勻的薄膜,不僅旋轉安裝有基板的基座本身,還有必要使安裝在基座的基板也進行旋轉。即,在基板暴露在反應氣體的期間進行自轉,進而可引導薄膜實際的均勻生長。為此,基板處理裝置為在口袋槽部安裝可上面支撐基板的附屬件(Satellite),在口袋槽部上面形成以中心軸為基準的半圓方向的氣體溝槽,通過噴射的氣體的流動來漂浮并旋轉附屬件,進而可旋轉基板。
發明內容
(要解決的問題)
然而,這種現有的基板支撐架及基板處理裝置存在在工藝之后附屬件停止時難以穩定地控制升降和旋轉的問題。對于附屬件在工藝結束之后即使停止給予旋轉力的氣體供應,附屬件也會因為旋轉的慣性力而持續旋轉預定時間期間,在進行旋轉的同時漂浮的附屬件安裝在底面,由于是在附屬件未停止的狀態下附屬件安裝到底面的,因此存在產生顆粒的問題。
本發明是用于解決如上所述的問題包括在內的各種問題的,目的在于提供一種基板支撐架及基板處理裝置,在基板處理工藝中將安裝在基板支撐架的口袋槽部的附屬件的升降和旋轉運動分開控制,以使附屬件穩定漂浮及旋轉,并且形成溝槽以使在附屬件和口袋槽部的底面之間施加與附屬件自轉方向相反的方向的氣體流動壓力,進而在附屬件停止時因為逆向旋轉方向的加壓而更加快速停止,因此可減少顆粒。然而,該課題是示例性的,不得由此限定本發明的范圍。
(解決問題的手段)
根據本發明的一實施例提供一種基板支撐架。所述基板支撐架可包括:基座,形成有多個口袋槽部,所述口袋槽部為圓盤形狀并且上面凹陷形成,以在上面沿著周圍方向安裝基板;軸,連接于所述基座下部以旋轉驅動所述基座;及附屬件,安裝在所述口袋槽部,并且在上面安裝所述基板;其中,所述基座包括:升降氣體孔部,為了漂浮所述附屬件而形成在所述口袋槽部中心部分,并且噴射通過形成在所述基座內部的第一升降氣體流道流進的升降氣體;及運動氣體孔部,為了旋轉驅動在所述口袋槽部漂浮的所述附屬件而形成在所述口袋槽部邊緣部分,并且噴射通過形成在所述基座內部的第一運動氣體流道流進的運動氣體;所述軸包括:第二升降氣體流道,將從外部供應的所述升降氣體傳遞至所述第一升降氣體流道;及第二運動氣體流道,將從外部供應的所述運動氣體傳遞至所述第一運動氣體流道。
根據本發明的一實施例,所述基板支撐架為,各個第一升降氣體流道與分別形成在所述多個口袋槽部的所述升降氣體孔部連接,所述各個第一升降氣體流道與單一的所述第二升降氣體流道連接。
根據本發明的一實施例,所述基板支撐架為,所述第二升降氣體流道形成有多個,以分別與第一升降氣體流道連接,所述第一升降氣體流道與分別形成在所述多個口袋槽部的所述升降氣體孔部連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





