[發(fā)明專利]一種肖特基芯片IV不良曲線的測(cè)試篩選方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011420743.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN112698174B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭曉波;趙曉非;王毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283
• 代理人: 郭翔

1.一種肖特基芯片IV不良曲線的測(cè)試篩選方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將待檢測(cè)肖特基芯片放置于探針臺(tái)的測(cè)試盤上，通過(guò)探針臺(tái)自動(dòng)調(diào)整肖特基芯片的水平度；

2）通過(guò)探針臺(tái)預(yù)設(shè)的影像定位肖特基芯片上第一顆管芯；

3）測(cè)試盤向上移動(dòng)至與探針臺(tái)上測(cè)試探針接觸；

4）通過(guò)探針臺(tái)上測(cè)試盒給出的1mA電流，判斷測(cè)試探針是否與第一顆管芯接觸；

4.1）如果探針臺(tái)顯示測(cè)試探針與第一顆管芯接觸良好；

4.11）測(cè)試盒給出50uA的反向電流，測(cè)試反向電壓，測(cè)試盒記錄其在50uA的反向電流下的反向電壓數(shù)值；設(shè)反向電壓數(shù)值為C；

4.12）測(cè)試盒給出100uA的反向電流，測(cè)試反向電壓，測(cè)試盒記錄其在100uA的反向電流下的反向電壓數(shù)值；設(shè)反向電壓數(shù)值為A；

4.13）測(cè)試盒給出500uA的反向電流，測(cè)試反向電壓，測(cè)試盒記錄其在500uA的反向電流下的反向電壓數(shù)值；設(shè)反向電壓數(shù)值為B；

4.14）測(cè)試盒給出1mA的反向電流，測(cè)試反向電壓，測(cè)試盒記錄其在1mA的反向電流下的反向電壓數(shù)值；

4.15）測(cè)試盒給出反向電壓，測(cè)試出第一顆管芯的反向電流；測(cè)試盒記錄其反向電流的數(shù)值；

4.16）測(cè)試盒給出10mA的正向電流，測(cè)試正向電壓；測(cè)試盒記錄10mA的正向電流下的正向電壓數(shù)值；

4.17）測(cè)試盒給出100mA的正向電流，測(cè)試正向電壓；測(cè)試盒記錄100mA的正向電流下的正向電壓數(shù)值；

4.18）測(cè)試盒給出1A的正向電流，測(cè)試正向電壓；測(cè)試盒記錄1A的正向電流下的正向電壓數(shù)值；

4.19）測(cè)試盒給出3A的正向電流，測(cè)試正向電壓；測(cè)試盒記錄3A的正向電流下的正向電壓數(shù)值；

4.20）測(cè)試盒給出5A的正向電流，測(cè)試正向電壓；測(cè)試盒記錄5A的正向電流下的正向電壓數(shù)值；

當(dāng)步驟4.11）至步驟4.20）所記錄的數(shù)值分別在設(shè)定的取值范圍內(nèi)時(shí)，執(zhí)行下一步驟；如果不符合其中任何一項(xiàng)設(shè)定的取值范圍時(shí)，打標(biāo)；

4.21）取步驟4.12）的反向電壓數(shù)值A(chǔ)；

取步驟4.13）的反向電壓數(shù)值B；

計(jì)算|A-B|的絕對(duì)值，設(shè)其絕對(duì)值為D；

4.211）當(dāng)數(shù)值D大于1時(shí)，IV曲線不良；

4.212）當(dāng)數(shù)值D小于1時(shí)，IV曲線不存在異常；

4.22）取步驟4.11）的反向電壓數(shù)值C；

計(jì)算|A-C|的絕對(duì)值，設(shè)其絕對(duì)值為E；

4.221）當(dāng)數(shù)值E大于1時(shí)，IV曲線不良；

4.222）當(dāng)數(shù)值E小于1時(shí)，IV曲線不存在異常；

4.23）當(dāng)步驟4.212）和步驟4.222）同時(shí)符合時(shí)，第一顆管芯合格；

當(dāng)符合步驟4.211）和/或步驟4.221）時(shí)，第一顆管芯不合格，在第一顆管芯上打標(biāo)；

5）步驟4.23）完成后，測(cè)試盤將第二顆管芯移動(dòng)至測(cè)試 探針的下方，跳轉(zhuǎn)步驟3），依次往下檢測(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基芯片IV不良曲線的測(cè)試篩選方法，其特征在于，步驟4）中，如果探針臺(tái)顯示測(cè)試探針與第一顆管芯接觸不良時(shí)，探測(cè)臺(tái)將第一顆管芯打標(biāo)，探針臺(tái)將第二顆管芯移動(dòng)至測(cè)試 探針下方，跳轉(zhuǎn)步驟3），依次往下檢測(cè)。