[發明專利]一種高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法有效
| 申請號： | 202011420469.2 | 申請日： | 2020-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN112596137B | 公開（公告）日： | 2022-02-18 |
| 發明（設計）人： | 程鑫彬;謝凌云;張占一;王占山 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損傷 閾值 多層 介質 矩形 衍射 光柵 制備 方法 | ||
1.一種高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
鍍制多層介質膜；
在Si 片上刻蝕制備出與目標矩形光柵結構相反的矩形Si光柵母版；
利用軟材料模板轉移所述矩形Si光柵母版的圖案；
使用紫外納米軟壓印技術，通過軟材料模板在所述多層介質膜上形成與目標矩形光柵結構相反的光刻膠光柵；
使用原子層沉積工藝在所述光刻膠光柵上沉積構成光柵的薄膜；
去除多余薄膜和光刻膠，獲得多層介質膜矩形衍射光柵；
所述光刻膠光柵的形成具體為：
在所述多層介質膜旋涂一層光刻膠，將軟材料模板置于該光刻膠上，經過紫外曝光固化壓印后，揭下所述軟材料模板，采用反應離子束刻蝕方法去除底部殘膠，獲得所述光刻膠光柵；
所述去除多余薄膜和光刻膠具體為：
使用反應離子束刻蝕，將頂部多余薄膜去除至所需光柵高度，暴露出光刻膠，采用等離子體與光刻膠反應，去除光刻膠，獲得最終的矩形光柵結構。
2.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，采用離子束輔助電子束蒸發鍍膜法鍍制所述多層介質膜。
3.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，使用全息光刻技術與反應離子束刻蝕技術在Si 片上刻蝕制備出所述矩形Si光柵母版。
4.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，所述軟材料模板包括PDMS軟模板。
5.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，所述光刻膠采用PMMA膠。
6.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，所述光刻膠光柵的高度大于所述目標矩形光柵的高度。
7.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，所述薄膜位于光刻膠光柵上方的厚度大于光柵結構中溝槽寬度的二分之一。
8.根據權利要求1所述的高損傷閾值的多層介質膜矩形衍射光柵制備方法，其特征在于，所述等離子體包括O2等離子體。
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