[發明專利]含有三維存儲陣列的處理器在審
| 申請號： | 202011420165.6 | 申請日： | 2017-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN112328535A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 張國飆 | 申請（專利權）人： | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號： | G06F15/78 | 分類號： | G06F15/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310051*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含有 三維 存儲 陣列 處理器 | ||
1.一種三維處理器(100)，其特征在于含有：
一半導體襯底(0)；
至少一位于該半導體襯底(0)上的計算單元(110-i)，所述計算單元(110-i)含有一個包括第一ALC組件(180a)和第二ALC組件(180b)的算術邏輯電路ALC (180)、以及多個包括第一組(150a)和第二組(150b)的三維存儲3D-M陣列(170a、170w…)，所述第一組(150a)包括至少所述第一3D-M陣列(170a…)，所述第二組(150b)包括至少所述第二3D-M陣列(170w…)，其中：
所述第一和第二ALC組件(180a、180b) 位于該半導體襯底(0)中；
所述第一組和第二組(150a、150b)分別堆疊在所述第一和第二ALC組件(180a、180b)上方；
所述3D-M陣列(170a、170w…)和所述ALC(180)通過多個接觸通道孔(1av, 3av)實現電耦合；
一布線通道(186)，所述布線通道(186)為所述第一和第二ALC組件(180a、180b)之間實現電耦合。
2.根據權利要求1所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述第一組 (150a)還包括第三3D-M陣列(170c)，所述第一和第三3D-M陣列(170a、170c)具有相鄰的第一和第三解碼器(15a、15c)，所述第一和第三解碼器(15a、15c)均位于半導體襯底(0)中并具有間隙(G)。
3.根據權利要求2所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述布線通道(186)位于所述間隙(G)中。
4.一種三維處理器(100)，其特征在于含有：
一半導體襯底(0)；
至少一位于該半導體襯底(0)上的計算單元(110-i)，所述計算單元(110-i)含有一個包括第一ALC組件(180a)和第二ALC組件(180b)的算術邏輯電路ALC (180)、以及多個包括第一組(150a)和第二組(150b)的三維存儲3D-M陣列(170a、170w…)，所述第一組(150a)包括至少所述第一3D-M陣列(170a…)，所述第二組(150b)包括至少所述第二3D-M陣列(170w…)，其中：
所述第一和第二ALC組件(180a、180b) 位于該半導體襯底(0)中；
所述第一組和第二組(150a、180b)分別堆疊在所述第一和第二ALC組件(180a、180b)上方；
所述3D-M陣列(170a、170w…)和所述ALC(180)通過多個接觸通道孔(1av, 3av)實現電耦合；
一布線通道(182或184)，所述布線通道(182或184)為所述ALC (180)與相鄰ALC之間實現電耦合。
5.根據權利要求4所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述第一組 (150a)還包括第三3D-M陣列(170b)，所述第一和第三3D-M陣列(170a、170b)具有相鄰的第一和第三解碼器(17a、17b)，所述第一和第三解碼器(15a、17b)均位于半導體襯底(0)中并具有間隙(G)。
6.根據權利要求5所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述布線通道(182)位于所述間隙(G)中。
7.根據權利要求1-6所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述3D-M陣列存儲數學函數的查找表。
8.根據權利要求1-6所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述3D-M陣列存儲數學模型的查找表。
9.根據權利要求1-8所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述3D-M陣列含有多個垂直堆疊的存儲元，所有所述存儲元不與任何半導體襯底接觸。
10.根據權利要求1-8所述的三維處理器(100)，其特征還在于：所述接觸通道孔(1av,3av)將所述3D-M陣列和所述ALC (180)電耦合，所有所述接觸通道孔(1av, 3av)完全位于所述3D-M陣列與所述半導體襯底(0)之間、并不穿透任何半導體襯底。
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